单选题关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的？（ ）A持续时间长B突触前膜去极化C通过轴突-轴突突触结构的活动来实现D潜伏期较长E轴突末梢释放抑制性递质
单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的？（ ）
A
持续时间长
B
突触前膜去极化
C
通过轴突-轴突突触结构的活动来实现
D
潜伏期较长
E
轴突末梢释放抑制性递质
参考解析
解析：
轴突末梢释放抑制性递质是形成抑制性突触后抑制电位的机制。
轴突末梢释放抑制性递质是形成抑制性突触后抑制电位的机制。
相关考题：
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
关于兴奋性实触后电位产生过程的描述中哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质并与突触前受体结合C、突触后瞄对Na+、K+、C1-，特别是Na+的通透性增高D、突触后膜出现去极化电位
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
单选题关于兴奋性实触后电位产生过程的描述中哪一项是错误的？（）A突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B突触前轴突末梢释放兴奋性递质并与突触前受体结合C突触后瞄对Na+、K+、C1-，特别是Na+的通透性增高D突触后膜出现去极化电位
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D突触后膜出现超极化电位
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
单选题突触前抑制的特点下列哪一项是错误的（）A突触前膜去极化B持续时间长C潜伏期较长D通过轴突一轴突突触结构的活动来实现E轴突末梢释放抑制性递质