单选题IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A绝缘栅场效应管B结型场效应管C绝缘栅双极晶体管D双极型功率晶体管

单选题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A

绝缘栅场效应管

B

结型场效应管

C

绝缘栅双极晶体管

D

双极型功率晶体管


参考解析

解析: 暂无解析

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IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。() 此题为判断题(对,错)。

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 () 此题为判断题(对,错)。

ZX7400D的开关功率器件是()。A、场效应管B、单管IGBTC、IGBT模块D、可控硅

开关电源中()是开关功率管的直接负载。A、驱动电路B、控制电路C、整流滤波电路D、高频变压器

开关电源按其所用开关器可分为IGBT开关电源、双极型晶体管开关电源和()开关电源。A、MOSFET管B、二极管C、三极管D、单结晶体管

艾默生开关电源的DC/AC变换器中,以下不作为功率开关管使用的时()。A、SCRB、IGBTC、MOSFET

目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中,常用的功率开关管是()。A、BridgerectifierB、SCRC、MOSFETD、IGBT

功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管

通用变频器的逆变电路中功率开关管现在一般采用()模块。     A、晶闸管B、MOSFETC、GTRD、IGBT

IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。

不属于IGBT管特点的是()A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件

目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中,常用的功率开关管是()。A、SCRB、IGBTC、MOSFETD、Bridgerectifier

艾默生开关电源的DC/AC变换器中,以下不作为功率开关管使用的是()。A、SCRB、IGBTC、MOSFET

在谐振型开关电源中,由于功率开关管实现了()或()切换,因此基本上消除了;同时由于功率开关管的导通电阻非常小,所以()也非常小。

开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()

目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中,常用的功率开关管是()。A、SCRB、IGBTC、MOSFETD、Bridge rectifier

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和()等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管

在谐振型开关电源中,由于功率开关管实现了()或()切换,因此基本上消除了开关损耗。

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

在谐振型开关电源中,由于功率开关管实现了()或()切换,因此基本上消除了().

单选题功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。AMOSFET功率场效应管BIGBT绝缘栅双极晶体管CGTR晶闸管DBJT双极型晶体管

多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有()A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT

填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。AGTO和GTR;BTRIAC和IGBT;CMOSFET和IGBT;DSCR和MOSFET;