晶体结构的缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷。() 此题为判断题(对，错)。
影响电子电导的因素包括温度、晶体结构、晶格缺陷（）
实际金属的晶体结构不仅是一个多晶体，而且还存在有很多缺陷。
晶体缺陷就是指实际晶体结构与理想晶体结构发生（）的区域。
由于金属中存在着晶体结构缺陷，所以对其力学性能不利。
金属Cu的晶体结构是（）。A、体心立方晶体结构B、面心立方晶体结构C、密排立方晶体结构
铁素体的晶体结构为（）。A、体心立方晶体结构B、面心立方晶体结构C、密排立方晶体结构
实际金属晶体结构中的晶界属于晶体缺陷中的（）。A、点缺陷B、线缺陷C、面缺陷D、宏观缺陷
由于（）的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”， 组分缺陷的浓度主要取决于（）和（）
简述温度、固溶体类型、晶体结构、晶体学各向异性、浓度、晶体缺陷、第三元对扩散系数的影响及其原因。
金属的晶体结构点缺陷常见的缺陷有（）。A、空位B、间隙原子C、置换原子
下列关于金属晶体结构的说法错误的是（）。A、点缺陷常见的形式有空位、间隙原子、置换原子B、晶体中的线缺陷就是各种类型的位错C、面缺陷只包括晶体的外表面D、在金属机合金中，主要是金属键
相变、合金化、晶体结构的不同以及晶体缺陷都会影响材料的热膨胀特性。
填空题由于（）的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”， 组分缺陷的浓度主要取决于（）和（）
单选题在书写晶体结构缺陷符号时，上标不写表示带（）个电荷。A0B-1C+2D+3
多选题金属的晶体结构点缺陷常见的缺陷有（）。A空位B间隙原子C置换原子
单选题在晶体结构中，种类、性质及其周围环境完全相同的质点位置称为：（）A格点B点缺陷C等同点D阵点
单选题按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。A热缺陷B杂质缺陷C非化学计量缺陷DA+B+C
判断题矿物晶体结构上的缺陷往往会降低矿物的活性。A对B错
单选题金属表面的（）不均匀性可以构成微观电池。A金相组织B晶体结构C晶体缺陷D强度
单选题晶体结构中的缺陷在温度为（）时才能生成。A0KB298KC0KD0℃
单选题在书写晶体结构缺陷符号时，上标为•表示带（）个电荷。A+2B+3C-1D+1
单选题在书写晶体结构缺陷符号时，上标’’表示带（）个电荷。A-1B+2C-2D+1