填空题磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用（）的金属材料作屏蔽体；对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体，并保证磁路畅通。

填空题
磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用（）的金属材料作屏蔽体；对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体，并保证磁路畅通。

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恒定磁场又称A、交变磁场B、静磁场C、脉动磁场D、脉冲磁场E、动磁场
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时变磁场对探测区中的导体产生()。A.交变磁场B.模拟电路C.数字电路D.涡电流
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适合屏蔽低频磁场的金属材料是（　　）。A．铜B．铝C．铁D．镁
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金属材料可以很好地屏蔽低频磁场。
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时变磁场对探测区中的导体产生（）。A、交变磁场B、模拟电路C、数字电路D、涡电流
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防止电磁场危害防护措施之一，高频屏蔽的屏蔽体可用（）制成。A、铜B、铝C、铁D、胶木
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电磁感应的实质是：交变的磁场能够引起交变的电场。而交变的电场却不能够引起交变的磁场。（）
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磁场根据磁场强度的分布情况，又可分成均匀磁场和（）。A、恒定磁场B、交变磁场C、非均匀磁场D、不变磁场
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磁场屏蔽用的屏蔽体用（）制成，由于（）极小，因而干扰源所产生的磁通大部分被限制在强磁屏蔽体内。
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通交流电的电磁铁产生（）。A、恒定磁场B、交变磁场C、脉动磁场D、没有磁场
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在交变磁场作用下，铁磁材料会因磁性作用而引起功率损耗。
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对于低频磁场干扰以及恒定磁场的影响，应采用（）作屏蔽体，这可使干扰磁场的磁力线大部分经屏蔽体构成磁回路，从而隔离或削弱了磁场干扰的耦合通路。A、铁B、铝C、铜D、锌
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采用高导磁材料作成屏蔽层，将磁场干扰磁力线限制在磁阻很小的磁屏蔽体内部，称为（）屏蔽。A、静电B、电磁C、低频D、驱动
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电磁轭法产生（）：A、纵向磁场B、周向磁场C、交变磁场D、摆动磁场
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电场屏蔽----通常用（）的金属材料作屏蔽体，并应保持良好（）。
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高频的磁场干扰比低频的磁场干扰较难屏蔽
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磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用（）的金属材料作屏蔽体；对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体，并保证磁路畅通。
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磁场包括（）。A、恒定磁场B、交变磁场C、脉动磁场D、脉冲磁场E、以上均包括
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恒定电流产生的是（）。A、恒定磁场B、交变磁场C、不产生磁场D、恒定、交变磁场都有
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根据麦克斯韦电磁场理论，（）A、 稳恒电场可以诱导稳恒磁场，稳恒磁场也可以诱导稳恒电场B、 交变电场可以诱导稳恒磁场，交变磁场也可以诱导稳恒电场C、 交变电场可以诱导交变磁场，交变磁场也可以诱导交变电场D、 稳恒电场可以诱导交变磁场，稳恒磁场也可以诱导交变电场
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填空题电场屏蔽----通常用（）的金属材料作屏蔽体，并应保持良好（）。
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判断题高频的磁场干扰比低频的磁场干扰较难屏蔽A对B错
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单选题根据麦克斯韦电磁场理论，（）A 稳恒电场可以诱导稳恒磁场，稳恒磁场也可以诱导稳恒电场B 交变电场可以诱导稳恒磁场，交变磁场也可以诱导稳恒电场C 交变电场可以诱导交变磁场，交变磁场也可以诱导交变电场D 稳恒电场可以诱导交变磁场，稳恒磁场也可以诱导交变电场
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填空题磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用（）的金属材料作屏蔽体；对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体，并保证磁路畅通。
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填空题磁场屏蔽用的屏蔽体用（）制成，由于（）极小，因而干扰源所产生的磁通大部分被限制在强磁屏蔽体内。
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单选题磁场包括（）。A恒定磁场B交变磁场C脉动磁场D脉冲磁场E以上均包括
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单选题感应钎焊时是通过（）的方式加热。A零件在交变磁场中受到的磁场热进行加热B零件在交变磁场中产生的感应电流的电阻热C零件在交变磁场中受热辐射加热
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判断题金属材料可以很好地屏蔽低频磁场。A对B错
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