单选题下列属于单极型电压驱动型器件的是()。AGTRBGTOCMOSFETDIGBT

单选题
下列属于单极型电压驱动型器件的是()。
A

GTR

B

GTO

C

MOSFET

D

IGBT


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

GTO是电压驱动型器件。()

按驱动电路信号的性质分类,晶闸管属于()型器件。A、电流驱动B、电压驱动C、单极D、双极

写出四个电力电子器件名称(),其中属于全控型器件又是电压驱动的是()。

下列器件属于电压驱动型的是()。A、IGBTB、GTRC、GTOD、晶闸管

下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、达林顿管

IGBT属于一种电压控制型器件,只要对其输入端提供一种正向驱动电压就可使其导通,反之,断去其驱动电压便可使其关断。

双极型晶体管是()控制器件,单极型晶体管是()控制器件。

三级管属于()A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电流控制型器件

按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电压型器件

下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

下列属于单极型电压驱动型器件的是()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT

电力电子器件GTR为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

IGBT属于电压驱动型器件。

电力电子器件P-MOSFET为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

判断题IGBT属于电压驱动型器件。A对B错

多选题电力电子器件P-MOSFET为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。A对B错

填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

多选题电力电子器件GTR为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

多选题功率半导体器件按照驱动信号类型可分类为()。A不可控器件B电流驱动型C电压驱动型D半控型器件

问答题试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极