ZnO压敏电阻元件的过冲效应指的是：当峰值电流一定时，（）。A、残压随波头时间减少而升高B、残压随半值时间减少而升高C、残压随波头时间增加而升高D、残压随半值时间增加而升高
ZnO压敏电阻片的全电压—电流特性曲线可划分为哪几个区段：（）。A、小电流区B、中电流区C、截止区D、大电流区
对于ZnO压敏电阻的劣化预防，可以采用（）的方法进行处理。A、机械保护B、热学处理C、化学处理D、合理设计
ZnO压敏电阻的离子迁移说劣化机理模与实验结果更相符，基本认为：（）。A、劣化是一种晶界现象B、劣化是耗尽层中离子迁移的结果C、劣化是稳定层中离子迁移的结果D、迁移离子主要是氧和填隙Zn
ZnO压敏电阻的失效模式有（）。A、电气击穿B、过期老化C、机械破坏D、热破坏
下列关于晶界的说法哪种是错误的（）。A、晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B、晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C、晶界是原子、空位快速扩散的主要通道D、晶界易受腐蚀
金属晶体中最主要的面缺陷是（）。A、晶界B、亚晶界C、超晶界D、次晶界
小角度晶界和大角度晶界是如何划分的？为什么要那样划分？其晶界能有何不同？
简述一次莫来石、二次莫来石、相界、晶界、晶界异相偏析效应的定义。
问答题试从结构和能量的观点解释为什么D晶界D晶内？
单选题ZnO压敏电阻元件的过冲效应指的是：当峰值电流一定时，（）。A残压随波头时间减少而升高B残压随半值时间减少而升高C残压随波头时间增加而升高D残压随半值时间增加而升高
多选题金属晶体中最主要的面缺陷是（）。A晶界B亚晶界C超晶界D次晶界
问答题简述一次莫来石、二次莫来石、相界、晶界、晶界异相偏析效应的定义。
多选题ZnO压敏电阻的离子迁移说劣化机理模与实验结果更相符，基本认为：（）。A劣化是一种晶界现象B劣化是耗尽层中离子迁移的结果C劣化是稳定层中离子迁移的结果D迁移离子主要是氧和填隙Zn
多选题ZnO压敏电阻片的全电压—电流特性曲线可划分为哪几个区段：（）。A小电流区B中电流区C截止区D大电流区
多选题ZnO压敏电阻的失效模式有（）。A电气击穿B过期老化C机械破坏D热破坏
多选题对于ZnO压敏电阻的劣化预防，可以采用（）的方法进行处理。A机械保护B热学处理C化学处理D合理设计