Si的还原是在()。A、软熔带B、滴落带C、渣铁界面

Si的还原是在()。

  • A、软熔带
  • B、滴落带
  • C、渣铁界面

相关考题:

室温硫化硅橡胶中使之与交联剂、催化剂,在室温下固化的结构是()。 A.Si-OHB.Si-CH3C.Si-OD.Si-CHCH2

在GPRS/EDGE系统中,BCCH信道上新增加的系统消息类型是:() A.SI2bis;B.SI2Q;C.SI8;D.SI13。

开通GPRS或EDGE的小区,在IDLE状态的MS可以收到下列哪些系统消息?() A.SI1B.SI2C.SI3D.SI5E.SI6F.SI13

GSM系统的小区内,在IDLE状态的MS可以收到下列哪些系统消息?() A.SI1B.SI2C.SI3D.SI5E.SI6F.SI4

下面哪些系统消息是在SACCH上发送的() A.SI4B.SI5terC.SI5bisD.SI7E.SI8

我国法定计量单位中,除国际单位制(SI)单位外,还包括( )。A.国家选定的作为法定计量单位的非SI单位B.由SI单位和国家选定的非SI单位构成的组合形式的单位C.国际标准化组织(ISO)推荐的非SI单位D.其他发达国家所使用的非SI单位E.米制单位

碳素结构钢的主要成分除含()、()外,还含有Mn、Si、P、S等成分。

手机在SACCH信道上可以收到下列哪些消息?()A、SI1、2、3、4;B、SI5、6;C、SI7、8;D、测量报告;E、SI13;F、短消息。(SI是指系统消息)

铁水在1600℃时,其元素的氧化顺序为()。A、Si、P、Mn、FeB、Si、Fe、P、MnC、Si、Mn、P、Fe

铁水内元素氧化的顺序在1400℃以下时为:Al、Si、Mn、Cr、P、C、Fe,而在1530℃~1600℃之间其氧化的顺序变为(),因此铁水内元素在转炉内的与氧的亲合力随温度在变化。A、Al、C、Si、Mn、P、Cr、FeB、Al、C、Si、Mn、Cr、P、FeC、Al、Cr、C、Mn、Si、P、FeD、Al、C、Si、Cr、Mn、P、Fe

下面哪些系统消息是在SACCH上发送的()A、SI4B、SI5terC、SI5bisD、SI7E、SI8

在地壳中,按克拉克值由大到小的顺序排列的四种元素是()。A、Fe-O-Si-AlB、O-Si-Fe-AlC、Si-O-Al-FeD、O-Si-Al-Fe

在转炉冶炼初期,元素的氧化顺序为()。A、Si→Mn→CB、C→Mn→SiC、Si→C→Mn

在转炉冶炼初期,元素的氧化顺序为()。A、Si→Mn→CB、C→Mn→SiC、Si→C→MnD、C→Si→Mn

铁水内元素氧化的顺序在1400℃以下时为:Al、Si、Mn、Cr、P、C.Fe,而在1530℃~1600℃之间其氧化的顺序变为()。因此铁水内元素在转炉内的与氧的亲合力随温度在变化。A、Al、C.Si、Mn、P、Cr、FeB、Al、C.Si、Mn、Cr、P、FeC、Al、Cr、C.Mn、Si、P、FeD、D.Al、Si、Cr、Mn、P、Fe

在转炉吹炼前期20%时间里,()元素即被大量氧化。A、Fe、Si、MnB、Fe、P、MnC、S、Si、MnD、Al、Si、Mn

在同一温度下各元素与氧结合能力的顺序是()。A、Si、Al、Mn、P、FeB、Al、Mn、Si、Fe、PC、Al、Si、Mn、P、FeD、Al、Si、Fe、Mn、P

铁水温度在1600℃时,其元素的氧化顺序()。A、Si、P、Mn、FeB、Si、Fe、P、MnC、Si、Mn、P、Fe

根据Si在高炉中的行为,冶炼低Si生铁的必要条件是什么?

国际单位制包括SI单位,()它们的十进倍数和分数单位。A、不包括B、还包括C、有部分D、排除

参数ALPHA等在BCCH的系统消息()中发送。A、Si2B、Si3C、Si5D、Si13

RLINKUP在系统消息()中发送A、Si2B、Si3C、Si5D、以上均不是

开通GPRS或EDGE的小区,在IDLE状态的MS可以收到下列哪些系统消息?()A、SI1B、SI2C、SI3D、SI5E、SI6F、SI13

GSM系统的小区内,在IDLE状态的MS可以收到下列哪些系统消息()A、SI1B、SI2C、SI3D、SI5EE、SI6FF、SI4

手机在SACCH信道上可以收到下列哪些消息()A、SI1、2、3、4;B、SI5、6;C、SI7、8;D、测量报告;E、SI13;F、短消息。

在关门时,SI行程开关与SII行程开关的状态应为()A、SI接通、SII断开B、SI断开、SII接通C、SI接通、SII接通D、SI断开、SII断开

填空题由于O2在SiO2中的扩散率远()于Si 在SiO2中的扩散率,所以氧化反应是由O2穿过SiO2层,在()界面与Si原子反应。相同温度下,湿氧氧化速率()于干氧氧化速率,是因为在SiO2中,H2O比O2有更()的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很(),所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用()法沉积Si3N4薄膜。