Si的还原是在（）。A、软熔带B、滴落带C、渣铁界面

Si的还原是在（）。

  • A、软熔带
  • B、滴落带
  • C、渣铁界面

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室温硫化硅橡胶中使之与交联剂、催化剂,在室温下固化的结构是()。 A.Si-OHB.Si-CH3C.Si-OD.Si-CHCH2
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在GPRS／EDGE系统中,BCCH信道上新增加的系统消息类型是:() A.SI2bis；B.SI2Q；C.SI8；D.SI13。
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开通GPRS或EDGE的小区,在IDLE状态的MS可以收到下列哪些系统消息?() A.SI1B.SI2C.SI3D.SI5E.SI6F.SI13
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GSM系统的小区内,在IDLE状态的MS可以收到下列哪些系统消息?() A.SI1B.SI2C.SI3D.SI5E.SI6F.SI4
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下面哪些系统消息是在SACCH上发送的() A.SI4B.SI5terC.SI5bisD.SI7E.SI8
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我国法定计量单位中，除国际单位制（SI)单位外，还包括（ ）。A.国家选定的作为法定计量单位的非SI单位B.由SI单位和国家选定的非SI单位构成的组合形式的单位C.国际标准化组织（ISO)推荐的非SI单位D.其他发达国家所使用的非SI单位E.米制单位
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碳素结构钢的主要成分除含（）、（）外，还含有Mn、Si、P、S等成分。
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手机在SACCH信道上可以收到下列哪些消息？（）A、SI1、2、3、4；B、SI5、6；C、SI7、8；D、测量报告；E、SI13；F、短消息。（SI是指系统消息）
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铁水在1600℃时，其元素的氧化顺序为（）。A、Si、P、Mn、FeB、Si、Fe、P、MnC、Si、Mn、P、Fe
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铁水内元素氧化的顺序在1400℃以下时为：Al、Si、Mn、Cr、P、C、Fe，而在1530℃～1600℃之间其氧化的顺序变为（），因此铁水内元素在转炉内的与氧的亲合力随温度在变化。A、Al、C、Si、Mn、P、Cr、FeB、Al、C、Si、Mn、Cr、P、FeC、Al、Cr、C、Mn、Si、P、FeD、Al、C、Si、Cr、Mn、P、Fe
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下面哪些系统消息是在SACCH上发送的（）A、SI4B、SI5terC、SI5bisD、SI7E、SI8
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在地壳中，按克拉克值由大到小的顺序排列的四种元素是（）。A、Fe－O－Si－AlB、O－Si－Fe－AlC、Si－O－Al－FeD、O－Si－Al－Fe
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在转炉冶炼初期，元素的氧化顺序为（）。A、Si→Mn→CB、C→Mn→SiC、Si→C→Mn
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在转炉冶炼初期，元素的氧化顺序为（）。A、Si→Mn→CB、C→Mn→SiC、Si→C→MnD、C→Si→Mn
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铁水内元素氧化的顺序在1400℃以下时为：Al、Si、Mn、Cr、P、C．Fe，而在1530℃～1600℃之间其氧化的顺序变为（）。因此铁水内元素在转炉内的与氧的亲合力随温度在变化。A、Al、C．Si、Mn、P、Cr、FeB、Al、C．Si、Mn、Cr、P、FeC、Al、Cr、C．Mn、Si、P、FeD、D．Al、Si、Cr、Mn、P、Fe
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在转炉吹炼前期20%时间里，（）元素即被大量氧化。A、Fe、Si、MnB、Fe、P、MnC、S、Si、MnD、Al、Si、Mn
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在同一温度下各元素与氧结合能力的顺序是（）。A、Si、Al、Mn、P、FeB、Al、Mn、Si、Fe、PC、Al、Si、Mn、P、FeD、Al、Si、Fe、Mn、P
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铁水温度在1600℃时，其元素的氧化顺序（）。A、Si、P、Mn、FeB、Si、Fe、P、MnC、Si、Mn、P、Fe
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根据Si在高炉中的行为，冶炼低Si生铁的必要条件是什么？
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国际单位制包括SI单位，（）它们的十进倍数和分数单位。A、不包括B、还包括C、有部分D、排除
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参数ALPHA等在BCCH的系统消息（）中发送。A、Si2B、Si3C、Si5D、Si13
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RLINKUP在系统消息（）中发送A、Si2B、Si3C、Si5D、以上均不是
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开通GPRS或EDGE的小区，在IDLE状态的MS可以收到下列哪些系统消息？（）A、SI1B、SI2C、SI3D、SI5E、SI6F、SI13
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GSM系统的小区内，在IDLE状态的MS可以收到下列哪些系统消息（）A、SI1B、SI2C、SI3D、SI5EE、SI6FF、SI4
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手机在SACCH信道上可以收到下列哪些消息（）A、SI1、2、3、4；B、SI5、6；C、SI7、8；D、测量报告；E、SI13；F、短消息。
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在关门时，SI行程开关与SII行程开关的状态应为（）A、SI接通、SII断开B、SI断开、SII接通C、SI接通、SII接通D、SI断开、SII断开
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填空题由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
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