神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是()。A、K+内流B、K+外流C、Na+内流D、Na+外流E、Cl-内流

神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是()。

  • A、K+内流
  • B、K+外流
  • C、Na+内流
  • D、Na+外流
  • E、Cl-内流

相关考题:

神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是( )A、K+内流B、k+外流C、Na+内流D、Na+外流E、cr内流

兴奋性突触后电位() A、是发生在突触后膜上的去极化型局部电位B、主要是由Na内流引起的C、具有“全或无”的性质D、具有较长的不应期E、可使突触后神经元的兴奋性增高或爆发AP

γ-僵直产生的原因是( )。A.脑干网状结构易化区作用相对增强B.脑干网状结构抑制区作用减弱C.α运动神经元传出冲动增加D.p运动神经元传出冲动减少E.γ运动神经元传出冲动增加

脑电波的形成主要是由于皮质表面( )。A.单个神经元顶树突同时产生多个突触后电位的总和B.单个神经元胞体兴奋而产生的动作电位C.大量神经元顶树突同步发生突触后电位的总和D.大量神经元胞体同步兴奋而产生动作电位的总和E.大量神经元轴突同步兴奋而产生动作电位的总和

对兴奋性突触后电位的叙述,错误的是A.突触前神经元释放兴奋性递质B.突触后膜产生除极化变化C.突触后膜对Ca2+通透性增加D.主要使突触后膜Na+内流E.兴奋只能由前膜向后膜传递

兴奋性突触后电位A.即突触后神经元处于兴奋状态B.经一中间神经元的中介而产生C.由突触后膜K+电导增加而产生D.可随突触前递质释放增多而加大

下列关于兴奋性突触后电位的叙述,正确的是A. 是由突触前神经元释放抑制性递质而产生的  B. 性质上属于动作电位,但幅度较小  C. 重复刺激可引起时间的总和  D. 由突触后膜钾离子通道开放而产生

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。

神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是( )。

下列对兴奋性突触后电位的叙述,正确的是A:突触前神经元释放抑制性递质B:突触后膜主要对Ca2+通透性增加C:突触后膜产生局部去极化D:主要使突触后膜Cl-内流增加E:兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜,呈双向传递

兴奋性突触后电位( )A.即突触后神经元处于兴奋状态B.C.可随突触前递质释放增多而加大D.

责任会计产生的主要原因是()的产生。

何谓兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位?兴奋如何通过突触传递使突触后神经元兴奋(兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理)?

能使突触后膜通透性改变,产生兴奋性突触后电位的主要离子是()A、钠离子B、钾离子C、钙离子D、氯离子

老年人脑萎缩的主要原因是神经元进行性减少。

局麻药引起中枢神经系统兴奋的原因是()。A、中枢兴奋性神经元敏感B、中枢抑制性神经元不敏感,不产生脱抑制C、兴奋边缘系统所致D、中枢抑制性神经元更敏感,产生脱抑制作用E、中枢兴奋性增强

脊休克产生的原因是由下列哪种因素引起()。A、脊髓横断损伤的刺激B、离断脊髓失去高位中枢调控C、脊髓运动神经元功能障碍D、大脑皮层与低位脑干神经元破坏

产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()A、突触前末梢递质释放增多B、需由中间神经元中介C、突触后膜K+电导降低D、突触后膜Na+电导增加E、突触后神经元受刺激而兴奋

单选题能使突触后膜通透性改变,产生兴奋性突触后电位的主要离子是()A钠离子B钾离子C钙离子D氯离子

问答题何谓兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位?兴奋如何通过突触传递使突触后神经元兴奋(兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理)?

单选题产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()A突触前末梢递质释放增多B需由中间神经元中介C突触后膜K+电导降低D突触后膜Na+电导增加E突触后神经元受刺激而兴奋

单选题下列对兴奋性突触后电位的叙述,正确的是(  )。A突触前神经元释放抑制性递质B突触后膜主要对Ca2+通透性增加C突触后膜产生局部去极化D主要使突触后膜Cl-内流增加E兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜,呈双向传递

单选题局麻药引起中枢神经系统兴奋的原因是()。A中枢兴奋性神经元敏感B中枢抑制性神经元不敏感,不产生脱抑制作用C中枢抑制性神经元更敏感,产生脱抑制作用D兴奋边缘系统所致E中枢兴奋性增强

问答题兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的?

判断题老年人脑萎缩的主要原因是神经元进行性减少。A对B错

单选题关于兴奋性突触后电位的说法,正确的是(  )。A即突触后神经元处于兴奋状态B由突触后膜K+电导增加而产生C可随突触前递质释放增多而加大D由突触后膜Ca2+电导增加而产生E由突触后膜K+外流大于Na+内流而产生