纯铜焊接时,熔池结晶时易在晶界形成Cu2O--Cu共晶,使接头性能降低。
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人体内O2、CO2进出细胞膜是通过A.单纯扩散B.易化扩散C. 人体内O<sub>2</sub>、CO<sub>2</sub>进出细胞膜是通过A.单纯扩散B.易化扩散C.主动转运D.人胞作用E.出胞作用
用金属铜作电极,电解硫酸铜溶液时,阳极的主要反应是:( )A.4OH- - 4e-=== O2+ 2H2OB.2SO2-4- 2e-===S2O2-8C.Cu-2e- ===Cu2+D.Cu2++ 2e-===Cu
以下关于焊缝区组织的描述,错误的是()A、焊缝金属是直接由液态金属结晶而得到的铸造组织B、结晶从熔池边缘开始,呈柱状晶(晶粒较粗大)成长C、粗大的柱状晶沿熔池壁方向成长D、最后结晶部位位于熔池中部,形成八字柱状树枝晶
下列说法中,正确的是()。(1)Al-Cu系列铝合金在时效硬化处理时,晶间会沉淀出CuAl2,产生晶间腐蚀。(2)Al-Zn-Mg-Cu系列铝合金在人工时效处理后,晶界会析出MgZn2,产生晶界腐蚀。(3)Al-Cu-Mg系列合金发生剥层腐蚀的情况最多。A、0项B、1项C、2项D、3项
下列说法中()。(1)Al-Cu系列铝合金在时效硬化处理时,晶间会沉淀出CuAl2,产生晶间腐蚀。(2)Al-Zn-Mg-Cu系列铝合金在人工时效处理后,晶界会析出MgZn2,产生晶界腐蚀。A、(1)对(2)错B、(1)错(2)对C、全对D、全错
Al-Cu系列铝合金在时效硬化处理时,晶间会沉淀出CuAl2,则()。A、在晶粒边界形成富铜区,电位最低B、在晶粒边界形成富铜区,电位最高C、在晶粒边界形成贫铜区,电位最低D、在晶粒边界形成贫铜区,电位最高
单选题A pIsub2/sub=Isub3/sub/pB pIsub2/sub=4Isub3/sub/pC pIsub2/sub=2Isub3/sub/pD pIsub3/sub=4Isub2/sub/p
单选题正态分布时,算术平均数、中位数、众数的关系为()Amsub0/sub<msube/sub<(xBmsub0/sub=msube/sub=(xCmsub0/sub>msube/sub>(xDmsube/sub<msub0/sub<(x