成釉细胞在靠近釉质牙本质界的一端形成一短的锥形突起称A、球状突B、托姆斯(Tomes)突C、赫特威希(Hertwig)突D、外釉突E、上皮隔
关于无釉柱釉质的正确描述是A、横纹明显B、有机物多C、矿化程度低D、晶体相互平行排列E、由托姆斯突分泌形成
成釉细胞分泌端的锥形突起称A．球状突B．托姆斯(Tomes)突C．赫特威(Hertwig)突D．外釉突E．上皮隔
无釉柱釉质形成的原因是() A.有机物含量较少，矿化程度高B.托姆斯突形成之前或消退之后成釉细胞产生C.釉质发育不全D.托姆斯突异常分泌E.成牙本质细胞产生
无釉柱釉质出现于A．近托姆斯突处B．釉质表层30微米C．近釉质生长线处D．釉质最内层和表层30微米E．釉质钙化程度较低处
釉板是A.薄层板状结构，垂直于牙面B.自釉牙本质界向牙面方向散开，呈草丛状C.位于釉牙本质交界处的纺锤状结构D.釉质周期性的生长速率改变形成的间歇线E.成釉细胞分泌活动停止以及托姆斯突退缩所致
无釉柱釉质出现于A．近釉质生长线处B．近托姆斯突处C．釉质表层30μmD．釉质最内层和表层30μmE．釉质钙化程度较低处
关于无釉柱釉质的正确描述是A.横纹明显B.有机物多C.矿化程度低D.晶体相互平行排列E.由托姆斯突分泌形成
成釉细胞细胞质形成端的锥形突起称A.球状突B.托姆斯突C.赫特威突D.外釉突E.上皮隔
无釉柱釉质位于A.近托姆斯突处B.釉质表层30μmC.近釉质生长线处D.釉质最内层和表层30μmE.釉质钙化程度较低处
无釉柱釉质出现于A.近托姆斯突处B.釉质表层30μmC.近釉质生长线处D.釉质最内层和表层30μmE.釉质钙化程度较低处
无釉柱釉质可见于A.近托姆斯突处B.近釉质牙本质界处C.近釉质生长线处D.釉板附近E.釉质钙化程度较低处
由于成釉细胞出现变化，不能产生正常量的釉基质，但形成的釉基质可正常矿化的是（）A、釉质形成不全B、釉质矿化不全C、Turner牙D、氟牙症E、釉质浑浊症
由于成釉细胞出现了变化，不能产生正常量的釉基质，但形成的釉基质可正常矿化（）A、釉质形成不全B、釉质矿化不全C、Turner牙D、氟牙症E、釉质浑浊症
无釉柱釉质形成的原因是（）A、有机物含量较少，矿化程度高B、托姆斯突形成之前或消退之后成釉细胞产生C、釉质发育不全D、托姆斯突异常分泌E、成牙本质细胞产生
成釉细胞成釉质细胞突（Tomes突）尚未形成时分泌的是（）A、施雷格线B、釉柱体部C、无釉柱釉质D、釉质牙本质界E、釉板
单选题无釉柱釉质出现于（ ）。A釉质最内层和表层30μmB近托姆斯突处C近釉质生长线处D釉质表层30μmE釉质钙化程度较低处
单选题由于成釉细胞出现了变化，不能产生正常量的釉基质，但形成的釉基质可正常矿化（）A釉质形成不全B釉质矿化不全CTurner牙D氟牙症E釉质浑浊症
单选题成釉细胞成釉质细胞突（Tomes突）尚未形成时分泌的是（）A施雷格线B釉柱体部C无釉柱釉质D釉质牙本质界E釉板
单选题无釉柱釉质形成的原因是（）A有机物含量较少，矿化程度高B托姆斯突形成之前或消退之后成釉细胞产生C釉质发育不全D托姆斯突异常分泌E成牙本质细胞产生
单选题由于成釉细胞出现变化，不能产生正常量的釉基质，但形成的釉基质可正常矿化的是（）A釉质形成不全B釉质矿化不全CTurner牙D氟牙症E釉质浑浊症
单选题成釉细胞在靠近釉质牙本质界的一端形成一短的锥形突起称（）A球状突B托姆斯（Tomes）突C赫特威希（Hertwig）突D外釉突E上皮隔
单选题成釉细胞在靠近釉牙本质界的一端形成一短的锥形突起称为（ ）。A外釉突B球状突C赫特威希（Hertwig）突D托姆斯（Tomes）突E上皮隔
单选题关于无釉柱釉质的正确描述是（）。A横纹明显B有机物多C矿化程度低D晶体相互平行排列E由托姆斯突分泌形成
单选题成釉细胞的胞浆形成端的锥形突起称（ ）。A球状突B托姆斯（Tomes）突C赫特威（Hertwig）突D外釉突E上皮隔
单选题无釉柱釉质出现在（ ）。A近托姆斯突处B近釉质生长线处C釉质表层30微米D釉质最内层和表层30微米E釉质钙化程度较低处
单选题无釉柱釉质出现于（）A近托姆斯突处B釉质表层30μmC近釉质生长线处D釉质最内层和表层30μmE釉质钙化程度较低处
单选题无釉柱釉质可见于（ ）。A近托姆斯突处B近釉质牙本质界处C近釉质生长线处D釉板附近E釉质钙化程度较低处