填空题内存存取一次数据所需的时间称为存取时间,其单位是()

填空题
内存存取一次数据所需的时间称为存取时间,其单位是()

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从发出命令到存储器送山数据所需的时间称为读出时间从发出写命令到数据稳定地写入存储器所需的时间称为写入时间。下面是关于存取时间的四种说法,其中止确的是( )。A.读出时间与写入时间之和称为存取时间B.读出时间现[现入时间统称为存取时间C.存取时间就是读出时间D.存取时间就是写入时间

启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间称为存取时间。() 此题为判断题(对,错)。

内存存取时间的单位是()。 A.毫秒B.秒C.纳秒D.分

内存存取时间是以()为单位的。 A.msB.nsC.umD.ws

内存的存取时间和时钟频率越()则该内存的性能就越优良。 A.小B.大

存储器进行一次完整的读/写操作所需的全部时间称为()。A.存取时间B.存取周期C.CPU周期D.机器周期

检验内存性能的指标包括()。A、存取时间B、CAS延迟时间C、奇偶校验D、ECC

内存的指标包括()A、存取时间B、CAS延迟时间C、奇偶校验D、ECC

存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为()A、 存取时间B、 存取周期C、 CPU周期D、 机器周期

启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间称为存取时间。

内存存取一次数据的时间称为存取时间,其单位为()A、毫秒B、微秒C、纳秒D、秒

内存的常用参数不包括().A、字长B、内存主频C、接口类型D、存取时间

在购买内存时要注意几点()、存取时间、引脚数、内存品牌。

内存条的存取速度(存储周期)是指两次独立的存取操作之间所需的最短时间,又称为存储周期,半导体存储器的存取周期时间单位一般是毫秒级。

内存的存取时间和时钟频率越()则该内存的性能就越优良。A、小B、大

内存存取时间是以()为单位的。A、msB、nsC、umD、ws

内存存取时间的单位是()。A、毫秒B、秒C、纳秒D、分

内存存取一次数据所需的时间称为存取时间,其单位是()

内存参数中,CL指()。A、时钟周期B、工作频率C、存取时间D、CAS延迟时间

存取时间[TAC]代表了读取数据所延迟时间。

存取时间是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的时间。

单选题内存存取时间的单位是()。A毫秒B秒C纳秒D分

多选题内存的指标包括()A存取时间BCAS延迟时间C奇偶校验DECC

单选题高速缓冲存储器通常由双极型静态RAM(sRAM)构成,SRAM的主要优点是(),主要用来()。A存取时间非常长;短期存放指令和数据B存取时间非常长;长期存放指令和数据C存取时间非常短;长期存放指令和数据D存取时间非常短;临时存放指令和数据

单选题存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为()A 存取时间B 存取周期C CPU周期D 机器周期

判断题启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间称为存取时间。A对B错

单选题内存的存取时间和时钟频率越()则该内存的性能就越优良。A小B大