影响应变式电阻传感器的应变灵敏系数K的主要因素是()。 A.材料几何尺寸的变化 B.材料电阻率的变化 C.材料物理性质的变化 D.材料化学性质的变化A.AB.BC.CD.D

影响应变式电阻传感器的应变灵敏系数K的主要因素是()。 A.材料几何尺寸的变化 B.材料电阻率的变化 C.材料物理性质的变化 D.材料化学性质的变化

A.A

B.B

C.C

D.D


参考答案和解析
A

相关考题:

金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起其电阻相对变化的原因为()。 A、金属丝几何尺寸的变化B、金属丝材料弹性模量的变化C、金属丝电阻率的变化D、金属丝压阻系数的变化

应变式传感器的温度误差产生的主要原因( )。 A. 应变式温度传感器件的温度系数变化B. 应变式温度传感器件的测量部分引起的C. 应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起的D. 试件材料与应变丝材料的线膨胀系数不一, 使应变丝产生附加变形而造成的电阻变化

应变式传感器温度误差产生的主要原因为( )。 A. 应变式温度传感器件的温度系数变化B. 应变式温度传感器件的测量部分引起的C. 应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起的D. 试件材料与应变丝材料的线膨胀系数不一, 使应变丝产生附加变形而造成的电阻变化

电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。 A、单位应变的电阻变化量B、单位电阻的应变变化量C、单位应变的电阻变化率D、单位电阻的应变变化率

电阻应变片的灵敏度系数K指的是( )。A.应变片电阻值的大小B.单位应变引起的应变片相对电阻值变化C.应变片金属丝的截面积的相对变化D.应变片金属丝电阻值的相对变化

应变片丝式敏感栅的材料是()。为确保应变片的性能,对此类材料的主要要求是:应变灵敏系数(),且为();电阻率();电阻温度系数()。

半导体应变片主要是利用半导体材料的()A、形变B、电阻率的变化C、弹性模量的变化D、泊松比的变化

金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

()电阻应变片式传感器按制造材料可分为()材料和()材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化,其中的电阻变化主要是由()形成的。

影响金属导电材料应变灵敏系数k的主要因素是()。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化

金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起电阻的相对变化主要由()。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积

当测量较小应变值时,应选用()工作的应变片,而测量大应变值时,应选用压阻效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化

应变是被测试材料尺寸的变化率,它是加载后应力引起的尺寸变化。()

金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料电阻率的变化D、以上均可

应变式传感器的温度误差产生的主要原因()。A、应变式温度传感器件的温度系数变化。B、应变式温度传感器件的测量部分引起的。C、应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起的。D、试件材料与应变丝材料的线膨胀系数不一,使应变丝产生附加变形而造成的电阻变化。

金属材料的应变效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。

电阻应变片式传感器按制造材料可分为①()材料和②()材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化,其中①的电阻变化主要是由()形成的,而②的电阻变化主要是由()造成的。()材料传感器的灵敏度较大。

关于电阻应变片,下列说法中正确的是()A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化

影响金属导电材料应变灵敏度系数K的主要因素是()。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化

影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是()。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化

单选题金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A贴片位置的温度变化B电阻丝几何尺寸的变化C电阻丝材料的电阻率变化

填空题当测量较小应变值时,应选用电阻应变效应工作的应变片,而测量大应变值时,应选用()效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

填空题指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

单选题影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是()。A导电材料电阻率的变化B导电材料几何尺寸的变化C导电材料物理性质的变化D导电材料化学性质的变化

单选题电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。A单位应变的电阻变化量B单位电阻的应变变化量C单位应变的电阻变化率D单位电阻的应变变化率

填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。