半导体材料的电阻变化主要来自尺寸效应。() 此题为判断题(对，错)。
外力引起电阻率变化的元件是______。A.金属电阻应变片B.半导体电阻应变片C.压电元件D.霍尔元件
金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起其电阻相对变化的原因为()。 A、金属丝几何尺寸的变化B、金属丝材料弹性模量的变化C、金属丝电阻率的变化D、金属丝压阻系数的变化
半导体应变片的电阻变化量和材料的应变成线性关系。()
电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。 A、单位应变的电阻变化量B、单位电阻的应变变化量C、单位应变的电阻变化率D、单位电阻的应变变化率
金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）A、金属应变片主要利用压阻效应B、金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C、半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D、半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。
半导体应变片主要是利用半导体材料的（）A、形变B、电阻率的变化C、弹性模量的变化D、泊松比的变化
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
指材料在承受应变时，其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象，称为（）；指材料在承受应变时，其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象，称为（）。
半导体材料的压阻效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。
金属丝应变片在测量某一构件的应变时，引起电阻的相对变化主要由（）。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积
当测量较小应变值时，应选用（）工作的应变片，而测量大应变值时，应选用压阻效应工作的应变片，后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。
金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（）来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化
应变是被测试材料尺寸的变化率，它是加载后应力引起的尺寸变化。（）
金属丝应变片在测量某一构件的应变时，其电阻的相对变化主要由（）来决定。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料电阻率的变化D、以上均可
金属材料的应变效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。
关于电阻应变片，下列说法中正确的是（）A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化
影响金属导电材料应变灵敏度系数K的主要因素是（）。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化
影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是（）。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化
单选题金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（）来决定的。A贴片位置的温度变化B电阻丝几何尺寸的变化C电阻丝材料的电阻率变化
判断题半导体应变片的电阻变化量和材料的应变成线性关系。A对B错
单选题影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是（）。A导电材料电阻率的变化B导电材料几何尺寸的变化C导电材料物理性质的变化D导电材料化学性质的变化
单选题电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是（）。A单位应变的电阻变化量B单位电阻的应变变化量C单位应变的电阻变化率D单位电阻的应变变化率
填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
填空题指材料在承受应变时，其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象，称为（）；指材料在承受应变时，其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象，称为（）。
填空题当测量较小应变值时，应选用电阻应变效应工作的应变片，而测量大应变值时，应选用（）效应工作的应变片，后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。