施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子

施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子


参考答案和解析
正确

相关考题:

电离是指电子脱离原子核的束缚而形成自由电子和()的过程。 A、正离子B、负离子C、离子D、质子

在FID的火焰中,有机物被电离成为()。 A、正、负离子B、正、负电子C、正离子和电子D、正、负离子和电子

在气体放电过程中,碰撞电离主要是由()与气体分子(或原子)相撞而引起的。A正离子B负离子C自由电子

放电电极附近的气体电离产生大量的()。A正离子和电子;B正离子和负离子;C正电荷和负电荷;D中子和电子。

与电离室的复合效应无关的是()A、电离室的几何尺寸B、工作电压的选择C、正离子产生的速率D、负离子产生的速率E、电离辐射的入射方向

树木叶枝尖端放电及绿色植物光合作用形成的光电效应,使空气电离产生空气()A、正离子B、负离子C、金属离子D、有机离子

N型杂质半导体中,多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

半导体内的载流子是()。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴

原子电离后成为电子和()A、正离子B、负离子C、中子D、离子

空气电离后由电子和()所组成。A、正离子B、负离子C、中子D、离子

半导体中的载流子为()。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴

P型半导体的多数载流子是()。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子

N沟道结型场效应管中的载流子是()A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子

P型半导体中多数载流子是()A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子

N型半导体以()导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子

电极附近的气体由于电离而产生大量的正离子和负离子。

电离产生的正离子驱向电极最后被中和,电子则离开电极后附着在气体分子上形成负离子,烟气尘粒按一定的几率被这些负离子碰撞而荷电。

在本征半导体中,()是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴

电解质B的水溶液,设B电离后产生ν+个正离子和ν-个负离子,且ν=ν++ν-,下列各式中,不能成立的是:()。A、a±=aBB、a±=aB1/νC、a±=γ±(m±/m)D、a±=(a+ν+•a-ν-)1/ν

电解质B的水溶液,设B电离后产生ν+个正离子和ν-个负离子,且ν=ν++ν-,下列各式中,不能成立的是:()A、a±=aBB、a±=aB1/νC、a±=γ±(m±/m)D、a±=(a+v+·a-ν-)1/v

填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子,同时向导带提供电子,使半导体成为电子导电的()型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子,同时向价带提供空穴.使半导体成为空穴导电的()型半导体。

单选题与电离室的复合效应无关的是()A电离室的几何尺寸B工作电压的选择C正离子产生的速率D负离子产生的速率E电离辐射的入射方向

单选题半导体内的载流子是()。A正离子B负离子C自由电子D自由电子与空穴

单选题N型杂质半导体中,多数载流子是()A正离子B负离子C空穴D自由电子

单选题在气体放电过程中,碰撞电离主要是由()与气体分子相撞而产生的A正离子B负离子C自由电子D气体分子

单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A空穴/自由电子B自由电子/空穴C空穴/共价键电子D负离子/正离子

单选题在气体放电过程中,碰撞电离主要是由()与气体分子(或原子)相撞而引起的。A正离子B负离子C自由电子

单选题D沟道型场效应管中的载流子是()A自由电子B空穴C电子和空穴D带电离子