晶体三极管用于放大时,则()。 A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结正偏，基集反偏
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于()。A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏，集电结处于反偏C.发射结处于反偏，集电结处于正偏D.发射结和集电结都处于反偏
一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于()状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于()状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为()状态。
三极管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况如何？( )A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏，集电结反偏
频数分布的类型有A.正态分布和偏态分布B.正偏态分布和负偏态分布C.对称分布和正偏态分布D.对称分布和负偏态分布E.对称分布和偏态分布
甲、丙两图表示的数据分布形态分别是A.正偏态和负偏态分布B.正偏态和正态分布C.负偏态和正态分布D.负偏态和正偏态分布
三极管放大区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
晶体三极管用于放大时，应使其（）。A、収射结正偏、集电结反偏B、収射结正偏、集电结正偏C、収射结反偏、集电结正偏D、収射结反偏、集电结反偏
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
数值资料常见的频数分布的类型有（ ）A、正态分布和非正态分布B、正态分布和正偏态分布C、正态分布和负偏态分布D、正偏态分布和负偏态分布E、正态分布和偏态分布
强制分布法假设员工的工作行为和工作绩效整体呈（）分布A、偏态B、正偏态C、正态D、负偏态
晶体三极管用于放大时则（）A、发射结反偏，基电结反偏。B、发射结正偏，基电结反偏。C、发射结正偏，基电结正偏。D、发射结反偏，基电结正偏。
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏，集电结反偏C、射结正偏，集电结正偏D、射结反偏，集电结正偏
对于偏态系数（）。A、若偏态系数SK=0为对称分布B、若偏态系数SK0为右偏或正偏分布；C、若偏态系数SK0为左偏或负偏分布；D、偏态系数SK0为左偏或负偏分布E、偏态系数SK0为右偏或正偏分布
NPN型三极管在共射极电路中，如果三极管工作在放大区，则应是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
对于正偏态分布的总体，当样本含量足够大时，样本均数的分布近似为（）A、正偏态分布B、负偏态分布C、正态分布D、t分布
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
处于截止状态的三极管，其工作状态是（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏，集电结反偏C、射结正偏，集电结正偏D、射结反偏，集电结正偏
三极管放大区的条件为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏或零偏，集电结反偏C、射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A集电结正偏，发射结反偏B集电结反偏，发射集正偏C集电结，发射结均反偏D集电结，发射结均正偏
多选题对于偏态系数（）。A若偏态系数SK=0为对称分布B若偏态系数SK0为右偏或正偏分布；C若偏态系数SK0为左偏或负偏分布；D偏态系数SK0为左偏或负偏分布E偏态系数SK0为右偏或正偏分布
单选题数值资料常见的频数分布的类型有（）A正态分布和非正态分布B正态分布和正偏态分布C正态分布和负偏态分布D正偏态分布和负偏态分布E正态分布和偏态分布
单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A发射结反偏，集电结正偏B发射结、集电结均反偏C发射结、集电结均正偏D发射结正偏，集电结反偏
单选题处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A射结正偏，集电结反偏B射结反偏，集电结反偏C射结反偏，集电结正偏D射结正偏，集电结正偏
单选题结型光电器件与三极管连接，保证放大，要接在（）。A基射极间短路B基集极间短路C基射极间反偏D基集极间正偏