与免疫复合物的沉淀和沉积部位有关因素是()A免疫复合物的电荷B血清补体水平C免疫复合物的大小D抗原的量E以上均不对
与免疫复合物的沉淀和沉积部位有关因素是()
A免疫复合物的电荷
B血清补体水平
C免疫复合物的大小
D抗原的量
E以上均不对
参考解析
略
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电子致密物沉积病的病变特点是A.肾小球基底膜上皮F有免疫复合物沉积B.肾小球基底膜内皮细胞下有免疫复合物沉积C.肾小球基底膜内有免疫复合物沉积D.肾小球系膜区有免疫复合物沉积E.肾小球墓底膜内c,沉积
电子致密物沉积病的病变特点是A.肾小球基底膜上皮下有免疫复合物沉积B.肾小球基底膜内皮细胞下有免疫复合物沉积C.肾小球基底膜内有免疫复合物沉积D.肾小球系膜区有免疫复合物沉积E.肾小球基底膜内c3沉积
关于药物导致的型变态反应,描述正确的是()A、该型过敏反应也与免疫球蛋白IgM和IgG有关B、此型一般与免疫复合物疾病无关C、最常累及的靶部位是位于肺泡组织间隙、淋巴管、关节和肾脏的血管内皮D、免疫病理学包括补体活化及免疫复合物在血管壁、关节和肾小球沉积E、临床特征可表现为发热、皮疹,并伴有紫癜和(或)荨麻疹
单选题Ⅲ型超敏反应造成组织损伤的始动因素是( )。A免疫复合物的形成B免疫复合物激活补体C免疫复合物的沉积D免疫复合物的清除E以上均不是