单选题在10-20电极安放系统中，如果痫样放电出现在C3、C4，则通常提示放电最可能起源于大脑的部位是（ ）。A额极B额叶内侧面C中央回附近D顶叶后部E颞叶上部
单选题
在10-20电极安放系统中，如果痫样放电出现在C3、C4，则通常提示放电最可能起源于大脑的部位是（ ）。
A
额极
B
额叶内侧面
C
中央回附近
D
顶叶后部
E
颞叶上部
参考解析
解析：
C3（左中央）、C4（右中央），故放电最可能起源于在中央回附近。
C3（左中央）、C4（右中央），故放电最可能起源于在中央回附近。
相关考题：
运动性失语的损伤部位为( )。A. 优势侧半球额下回后部(从前上额叶到前顶叶区域的皮质，包括岛叶和周围sylvian 皮质上缘)B. 颞上回后部(颞叶、顶叶后部，枕叶侧面)C. 左侧颞叶或顶叶上部(可能是前后语言区域的联系纤维受损)D. 发生在较大的损害伤及左侧半球多个脑回
下列关于状态相关的发作或痫样放电的描述中，正确的说法是( )。A、颞叶癫痫发作比额叶癫痫发作更容易出现在睡眠状态B、青少年肌阵挛癫痫在觉醒后放电频率常会降低C、过度换气试验可明显增加部分性痫样放电D、睡眠剥夺可增加痫样放电阳性率E、闪光刺激诱发的局灶性痫样放电常为前头部起源
运动性失语的损伤部位为（）。A、优势侧半球额下回后部（从前上额叶到前顶叶区域的皮质，包括岛叶和周围sylvian皮质上缘）B、颞上回后部（颞叶、顶叶后部，枕叶侧面）C、左侧颞叶或顶叶上部（可能是前后语言区域的联系纤维受损）D、发生在较大的损害伤及左侧半球多个脑回
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单选题运动性失语的损伤部位为（）。A优势侧半球额下回后部（从前上额叶到前顶叶区域的皮质，包括岛叶和周围sylvian皮质上缘）B颞上回后部（颞叶、顶叶后部，枕叶侧面）C左侧颞叶或顶叶上部（可能是前后语言区域的联系纤维受损）D发生在较大的损害伤及左侧半球多个脑回
单选题下列关于状态相关的发作或痫样放电的描述中，正确的说法是（）。A颞叶癫痫发作比额叶癫痫发作更容易出现在睡眠状态B青少年肌阵挛癫痫在觉醒后放电频率常会降低C过度换气试验可明显增加部分性痫样放电D睡眠剥夺可增加痫样放电阳性率E闪光刺激诱发的局灶性痫样放电常为前头部起源
单选题个体大脑各区成熟的顺序（）。A枕叶-颞叶-顶叶-额叶B颞叶-枕叶-顶叶-额叶C顶叶-枕叶-额叶-颞叶D枕叶-顶叶-额叶-颞叶E枕叶-额叶-颞叶-顶叶