单选题STM32的Flash闪存编程一次可以写入（）A4位B8位C16位D32位
单选题
STM32的Flash闪存编程一次可以写入（）
A
4位
B
8位
C
16位
D
32位
参考解析
解析：
暂无解析
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关于Flash存储设备的描述,不正确的是()。 A、Flash存储设备利用Flash闪存芯片作为存储介质B、Flash存储设备采用USB的接口与计算机连接C、不可对Flash存储设备进行格式化操作D、Flash存储设备是一种移动存储交换设备
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(13)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A．B．C．D．
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
PROM是可编程只读存储器的缩写，它的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
EEPROM是电擦除可编程只读存储器的缩写，它的内容也由用户写入，（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
单选题下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。ANOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术BNAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势CNOR Flash写入和擦除速度较慢D数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
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