在结晶化热处理工艺过程中，不影响铸造陶瓷材料晶体形成数量和性能的因素是A、成核剂B、成核温度C、结晶化温度D、结晶化热处理升温速度E、冷却温度
加稀盐酸能产生气泡的结晶体是()。 A、草酸钙结晶B、碳酸钙结晶C、硅质晶体D、菊糖结晶E、橙皮甘结晶
缝洞层的判断方法中不正确的是()。 A、晶体越粗大，则缝洞规模越大B、晶体越小，他形晶越多，结晶空间就越窄，缝洞就越小C、他形晶越多，开启程度就越高，储集性能就越好D、自形晶越大，储集性能就越好
（）不是结晶过程中影响结晶体大小的因素之一。A、温度B、搅拌C、浓度D、盐浓度
冰结晶形成的过程可以用结晶生长曲线表示，该曲线表示的含义有（）。A、温度与晶核生成量B、温度与晶体生长速度C、温度与冻结率D、温度与放热量
实际生产中，金属冷却时（）。A、理论结晶温度总是低于实际结晶温度B、理论结晶温度总是等于实际结晶温度C、理论结晶温度总是大于实际结晶温度D、实际结晶温度和理论结晶温度没有关系
熔点是结晶体的液相与固相处于平衡时的温度，耐火度是多相体达到某一特定软化程度的温度.
变形程度愈大，再结晶温度愈高，变形速度愈快再结晶温度愈低，加热保温时间愈长，再结晶温度愈高。（）
结晶点是轻质油品在试验条件下，用肉眼能够看出晶体析出的（）温度，喷气燃料的结晶点与燃料中的（）及石蜡烃含量有关。
晶态高聚物与小分子晶体的溶解过程的区别，下列说法中正确的是（）。A、结晶高聚物的熔融过程是折线，小分子晶体的熔融过程是渐近线。B、结晶高聚物的熔点无记忆性，小分子晶体的熔点由记忆性。C、结晶高聚物的熔点温度范围窄，小分子晶体的熔点温度范围宽。D、结晶高聚物的熔点与两相的组成有关，小分子晶体的熔点与两相的组成无关。
实践证明，再结晶温度与金属变形的程度有关，金属的变形程度越大，再结晶温度越（）。
晶体自形程度与结晶顺序、结晶温度的关系是（）A、它形晶结晶温度低B、自形晶结晶早C、自形晶结晶温度高D、半自形晶晚于它形晶结晶
基于矿物晶面发育的完整程度，将矿物的形态分为（）。A、自形、他形、半自形B、圆形、方形、三角形C、圆柱体形、四面体形、多面体形D、结晶形、隐晶形、半结晶形
重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。
结晶高分子的熔限大小与结晶温度有关，结晶温度低，熔限（）。这是由于结晶温度较低时，（）。
一般来说，结晶粗大说明（）；晶体小、他形晶多说明结晶（）、（）。
岩浆岩的结构是指组成岩石的矿物的结晶程度、颗粒大小、晶体形态、自形程度和（）
金属的再结晶温度与金属变形程度有关，变形程度愈大，再结晶温度（）。A、愈低B、愈高C、很高D、不变
单选题不属于变晶结构的特点是：（）A矿物的自形程度不高，多为它形或半自形晶；B矿物的自形程度反映了矿物结晶的先后顺序；C一般变斑晶形成较晚，基质形成较早。
填空题一般来说，结晶粗大说明（）；晶体小、他形晶多说明结晶（）、（）。
单选题实际生产中，金属冷却时（）。A理论结晶温度总是低于实际结晶温度B理论结晶温度总是等于实际结晶温度C理论结晶温度总是大于实际结晶温度D实际结晶温度和理论结晶温度没有关系
单选题基于矿物晶面发育的完整程度，将矿物的形态分为（）。A自形、他形、半自形B圆形、方形、三角形C圆柱体形、四面体形、多面体形D结晶形、隐晶形、半结晶形
判断题重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。A对B错
多选题冰结晶形成的过程可以用结晶生长曲线表示，该曲线表示的含义有（）。A温度与晶核生成量B温度与晶体生长速度C温度与冻结率D温度与放热量
判断题结晶作用形成的矿石结构（结晶结构）与熔体或溶液的浓度、粘度，过冷却或过饱和程度、晶体的生长空间以及矿物的结晶特性（结晶速度、结晶能力）、外界的温度压力有关。A对B错
填空题实践证明，再结晶温度与金属变形的程度有关，金属的变形程度越大，再结晶温度越（）。