有关功率集成电路，表述正确的是：A．将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。B．将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路封装在一起，称为功率集成电路。C．功率自关断器件称为功率集成电路。D．功率半控器件的驱动集成电路称为功率集成电路。
有关功率集成电路，表述正确的是：
A．将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。
B．将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路封装在一起，称为功率集成电路。
C．功率自关断器件称为功率集成电路。
D．功率半控器件的驱动集成电路称为功率集成电路。
参考答案和解析
A
相关考题：
下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种
关于集成电路(IC),下列说法中正确的是()。 A、集成电路的发展导致了晶体管的发明B、中规模集成电路通常以功能部件、子系统为集成对象C、IC芯片是计算机的核心D、数字集成电路都是大规模集成电路
元件装焊顺序是:() A.电阻器一二极管一三极管一电容器一集成电路一大功率管B.电阻器一三极管一电容器一二极管一集成电路一大功率曾C.电阻器一二极管一电容器一三极管一大功率管一集成电路D.电阻器一二极管一电容器一三极管一集成电路一大功率管
元器件装焊顺序是:()。 A.电阻器→二极管→三极管→电容器→集成电路→大功率管B.电阻器→三极管→电容器→二极管→集成电路→大功率管C.电阻器→二极管→电容器→三极管→大功率管→集成电路D.电阻器→二极管→电容器→三极管→集成电路→大功率管
有关集成电路布图设计下列说法错误的是（ ）A.集成电路布图设计又称工艺技术B.集成电路布图设计又称掩模作品C.集成电路布图设计是附着与各种载体上的电子元件和连接这些电子元件的连线的有关布局设计。D.集成电路布图设计又称拓扑图
以下关于低功率因数功率表的表述法正确的是（）。A、低功率因数功率表是电表本身的功率因数低B、低功率因数功率表的满偏值是电流量程与电压量程的乘积C、低功率因数功率表特别适宜测量低功率因数的负载功率D、低功率因数功率表是感应系仪表
元件装焊顺序是：（）A、电阻器一二极管一三极管一电容器一集成电路一大功率管B、电阻器一三极管一电容器一二极管一集成电路一大功率曾C、电阻器一二极管一电容器一三极管一大功率管一集成电路D、电阻器一二极管一电容器一三极管一集成电路一大功率管
下列有关Moore定律正确叙述的是（）。A、单块集成电路的集成度平均每8~14个月翻一番B、单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番C、单块集成电路的集成度平均每28~34个月翻一番D、单块集成电路的集成度平均每38~44个月翻一番
集成电路中元器件的特点是（）。A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管
一次雷达固态发射机的组成正确的是（）。A、多个微波电子管应用微波网络技术组合成高功率固态发射机B、多个微波集成电路应用微波网络技术组合成高功率放大器模块，多个放大器模块组合成固态发射机C、多个微波功率器件应用集成电路工艺和微波网络技术组合成高功率固态发射机D、多个大功率晶体管应用集成电路工艺和微波网络技术组合成高功率放大器模块，多个放大器模块组合成固态发射机
单选题功率集成电路属于（）集成电路。A模拟B数字C放大D任意