晶核生长必须有以下哪些步骤?A.RecoveryB.RecrystallizationC.both are not needD.both are needed

晶核生长必须有以下哪些步骤?

A.Recovery

B.Recrystallization

C.both are not need

D.both are needed


参考答案和解析
both are not need

相关考题:

在晶核生长速率G一定时,晶核形核率越大,其晶粒将()。 A.越细B.越粗C.没有关系

添加剂能够吸附在阴极表面,提高阴极极化,使得晶核的生长速度大于晶核的生成速度,从而获得晶粒细小而平滑的镀层。() 此题为判断题(对,错)。

碳化塔是以()为中心设计的。A、吸收B、冷却C、结晶D、晶核生长

碳化液内晶种的作用()。A、促进晶核生长B、促进晶核生成C、防止二次结晶D、利于初次结晶

如果溶液中没有任何固体颗粒,不管是结晶出来的物体还是外来颗粒,晶核的生成必定在晶体生长开始之前出现。

薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括()。A、形成晶核B、晶粒自旋C、晶粒凝结D、缝道填补

薄膜沉积的机构包括那些步骤()。A、形成晶核B、晶粒成长C、晶粒凝结D、缝道填补E、沉积膜成长

金属凝固过程中,晶核越多,晶核的生长速度越慢,则凝固后的晶体晶粒()A、不均匀;B、越细小;C、越粗大;D、越均匀

晶体的生长中心,称为()A、晶胞B、晶格C、晶核D、晶种

结晶过程是()的过程。A、形核及晶核长大B、形核及晶核转变C、晶核及质点长大D、晶核及质点转变

金属凝固时,临界晶核半径大小()A、与晶核表面能、过冷度成反比B、与晶核表面能成正比,与过冷度成反比C、与晶核表面能、过冷度成正比D、与晶核表面能成反比,与过冷度成正比

在()情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对

在什么情况下得到粗大而有规则的晶体()A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对

结晶操作时,溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时,晶核生成(),()生长为()。

金属的结晶包括晶核的()和晶核的()。

钢加热时奥氏体形成是由哪些基本过程所组成()。A、晶核形成B、晶核长大C、剩余渗碳体的溶解D、奥氏体均匀化

影响晶核形核率和长大率的因素主要有哪些,如何影响?

生长丘是钻石晶体在生长过程中形成的,具有规则几何形状而突出于()的生长物。A、晶棱B、晶面C、晶带D、晶核

晶体结晶时,下列哪个选项是不正确的?()A、晶核长大B、晶核产生C、保持恒温D、晶核裂变

多选题钢加热时奥氏体形成是由哪些基本过程所组成()。A晶核形成B晶核长大C剩余渗碳体的溶解D奥氏体均匀化

填空题均相成核又称(),是纯净的聚合物中由于热起伏而自发的生成晶核的过程,过程中晶核的密度能连续上升。异相成核又()是不纯净的聚合物中某些物质起晶核作用成为结晶中心,引起晶体生长过程,过程中晶核密度不发生变化。

单选题在()情况下得到粗大而有规则的晶体。A晶体生长速度大大超过晶核生成速度B晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C晶体生长速度等于晶核生成速度D以上都不对

问答题技术结晶的基本规律是什么?晶核的形核率和生长速率受到哪些因素的影响?

名词解释题晶核的生长

单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体()A晶体生长速度大大超过晶核生成速度B晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C晶体生长速度等于晶核生成速度D以上都不对

问答题如何理解泰曼将玻璃析晶分为晶核生成与晶体生长两个过程。

填空题结晶操作时,溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时,晶核生成(),()生长为()。

判断题绝大多数金属或合金的生长是二维晶核生长机理。A对B错