功耗越大,则门越快。对于给定的工艺和门的拓扑结构, 和 的乘积一般为一常数,这一乘积称为PDP。A.面积;速度。B.功耗;延时。C.功率;速度。D.能量;延时。

功耗越大,则门越快。对于给定的工艺和门的拓扑结构, 和 的乘积一般为一常数,这一乘积称为PDP。

A.面积;速度。

B.功耗;延时。

C.功率;速度。

D.能量;延时。


参考答案和解析
息税前利润

相关考题:

和CMOS门相比,TTL逻辑门具有工作()的特点。 A、速度快,功耗大B、速度快,功耗小C、速度慢,功耗小

单元危险系数等于一般工艺危险系数和特殊工艺危险系数的乘积。() 此题为判断题(对,错)。

在某温度下,在纯水中加入一点酸,则溶液中() 。A.[H+][OH-]的乘积增大B.[H+][OH-]的乘积减小C.[H+][OH-]的乘积不变D.水的质子自递常数增加

在一定温度下,难溶电解质饱和溶液其离子浓度的乘积为一常数,称为 ________ 。A.电离常数B.溶度积常数C.稳定常数

维恩位移定律λmaxT=2897.6的正确含义是(  )。 A. E达到最大时,最大波长与温度的乘积保持常数B. E达到最大时,波长与温度的乘积保持常数C. Ebλ达到最大时,波长与温度的乘积保持常数D. Ebλ达到最大时,最大波长与温度的乘积保持常数

水的离子积常数是指在一定温度下,水溶液中[H+]和[OH-]的乘积为一常数。A对B错

一定量的气体压强和体积的乘积与绝对温度的比值是一个常数.A对B错

()和()的乘积称为力矩。

压力容器的压力和容积的乘积越大其爆破时的危险性就越大。

电容充放电的快慢与电容C和电阻R的乘积有关,RC简称电路的时间常数,数值越大,充电时间越慢。

晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。

在一定()下,可逆反应达到平衡时,生成物浓度相应幂次的乘积和反应物浓度相应幂次的乘积之比是一个常数,该常数K叫做平衡常数。A、压力B、温度C、浓度D、条件

在一定温度下达到平衡时,各生成物平衡浓度幂的乘积与反应物平衡浓度幂的乘积之比称为()。A、化学平衡常数B、化学平衡速率C、化学平衡浓度常数D、化学平衡指数

在一定温度的纯水中,[OH-]与[H+]浓度的乘积是一个常数,而在酸性或碱性稀溶液中,[OH-]与[H+]浓度的乘积不是一个常数。

在一定温度下,难溶化合物在其饱和溶液中,各离子浓度的乘积是一常数,称为()。A、稳定常数B、平衡常数C、电离常数D、溶度积常数

在一定的温度下,水中氢离子浓度和氢氧根离子浓度的乘积为一常数Ksh,此常数称为水的()。

当可逆反应达到平衡时,生成物浓度的乘积与反应物浓度的乘积之比是一个常数,叫做化学平衡常数。

一定量的气体压强和体积的乘积与绝对温度的比值是一个常数.

水的离子积常数是指在一定温度下,水溶液中[H+]和[OH-]的乘积为一常数。

材料的声速与密度的乘积,可决定超声波在界面上的声能反射率与透过率,这一乘积称为穿透力。

RC电路中,时间常数用()表示,它的大小取决于RC的乘积。时间常数越大,电容充(放)过程()。

单位门信号gτ(t)的频谱宽度一般与其门信号的宽度τ有关,τ越大,则频谱宽度()

判断题水的离子积常数是指在一定温度下,水溶液中[H+]和[OH-]的乘积为一常数。A对B错

填空题在一定的温度下,水中氢离子浓度和氢氧根离子浓度的乘积为一常数Ksh,此常数称为水的()。

单选题热力学概率与熵的关系是()。(设熵为S,热力学概率为v,k为波尔兹曼常数)A熵等于k和v的对数乘积B熵等于k和v的乘积C熵等于k平方和v的乘积D熵等于k和v的对数平方的乘积

单选题在一定温度下,难溶电解质饱和溶液其离子浓度的乘积为一常数,称为()。A电离常数B溶度积常数C稳定常数D离子积常数

判断题材料的声速与密度的乘积,可决定超声波在界面上的声能反射率与透过率,这一乘积称为穿透力。A对B错

填空题一般发电机的额定功率等于其()与()的乘积。而容积功率等于()和()的乘积。