单向晶闸管内部是一个四层三端的硅半导体器件。() 此题为判断题(对，错)。
单向晶闸管内部是一个三层三端的锗半导体器件。() 此题为判断题(对，错)。
晶闸管的管芯是四层（）半导体板三端（A、K、G）器件，它决定晶闸管的性能。A、NPNPB、PNPNC、NPPND、PNNP
晶闸管是硅晶体闸流管的简称，它能以较小的电流控制上千安的电流和数千伏的电压，是一种大功率的半导体可控器件，它包括有（）晶体闸流管、（）硅晶闸管、（）硅晶闸管及（）晶闸管等。
美国通用电气公司总裁杰克•威尔奇设想的理想组织结构是（）A、事业部制B、网络组织C、团队结构制D、无界限组织
晶闸管（可控硅）是一种新型大功率半导体器件它主要用于（）。A、开关B、整流C、逆变、变频D、调压、调速
普通的晶闸管是（）半导体结构。A、四层B、五层C、三层D、二层
双向晶闸管事（）半导体结构。A、四层B、五层C、三层D、二层
晶闸管是一种大功率的可控半导体器件，普通型晶闸管具有反向阻断特性，故又称为逆阻型晶闸管。
晶闸管元件是一种用半导体材料制成的可控（）元件。它的单向导电与否是（）的。
晶闸管内部由（）半导体次叠而成，有三个PN结，外部引出三个电极。
晶闸管是一种（）器件，它具有体积小、重量轻、耐压高、效率高、容量大、使用简单和控制灵活等优点。A、大功率半导体B、小功率半导体C、大功率电阻D、小功率电阻
晶闸管是通过（）作用来实行开通与关断的双稳态半导体器件。
双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样，它是由（）层半导体材料构成的。
晶闸管的内部结构具有（）端、（）层、（）个PN结。
1947年（）实验室发明了晶体管.A、美国半导体B、BellC、日本D、Dell
填空题晶闸管内部由（）半导体次叠而成，有三个PN结，外部引出三个电极。
填空题晶闸管的内部结构具有（）端、（）层、（）个PN结。
单选题1947年（）实验室发明了晶体管.A美国半导体BBellC日本DDell
填空题晶闸管是硅晶体闸流管的简称，它能以较小的电流控制上千安的电流和数千伏的电压，是一种大功率的半导体可控器件，它包括有（）晶体闸流管、（）硅晶闸管、（）硅晶闸管及（）晶闸管等。
填空题双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样，它是由（）层半导体材料构成的。
单选题美国通用电气公司总裁杰克•威尔奇设想的理想组织结构是（）A事业部制B网络组织C团队结构制D无界限组织
填空题晶闸管元件是一种用半导体材料制成的可控（）元件。它的单向导电与否是（）的。