K带是由π→π*跃迁引起,其特征波长较长, 强度较强。
K带是由π→π*跃迁引起,其特征波长较长, 强度较强。
参考答案和解析
错误
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蓝移A.引入助色团以及溶剂改变使吸收峰向长波方向移动B.芳香族化合物的特征吸收带C.由分子中振动.转动能级跃迁所引起D.当化合物结构改变或受溶剂影响时使吸收峰向短波方向移动E.发射光波长大于入射光波长
红外光A.引入助色团以及溶剂改变使吸收峰向长波方向移动B.芳香族化合物的特征吸收带C.由分子中振动.转动能级跃迁所引起D.当化合物结构改变或受溶剂影响时使吸收峰向短波方向移动E.发射光波长大于入射光波长
有关特征X线的解释,错误的是A、高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B、特征X线的质与高速电子的能量有关C、特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D、靶物质原子序数较高特征X线的能量大E、70kVp以下不产生K系特征X线
对于异丙叉丙酮CH3COCH=C(CH3)2的溶剂效应,以下说法正确的是( )。 、A在极性溶剂中测定n→π*跃迁吸收带,λmax发生短移B在极性溶剂中测定n→π*跃迁吸收带,λmax发生长移C在极性溶剂中测定π→π*跃迁吸收带,λmax发生短移Dn→π*和π→π*跃迁吸收带波长与溶剂极性无关。
有关特征X线的解释,错误的是A.高速电子与靶物质内层轨道电子作用的结果B.特征X线的质与高速电子的能量有关C.特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D.靶物质原子序数高则特征X线的能量大E.K系特征X线的强度与管电流成正比
[8~11题共用备选答案]A.引入助色团产生溶剂改变使吸收峰向长波方向移动B.芳香旋化合物的特征吸收带C.由分子中振动、转动能级跃迁所引起D.当化合物结构改变或受溶剂影响时使吸收峰向短波方向移动E.发射光波长大于入射光波长B带
氢原子中的电子在下面四个跃迁过程中:(1)从E2跃迁到E5;(2)从E5跃迁到E2;(3)从E3跃迁到E6;(4)从E6跃迁到E3.吸收光子的波长较短的跃迁过程是(),发射光子的波长较长的跃迁过程是().
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。有关特征X线的解释,错误的是()A、高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B、特征X线的质取决于高速电子的能量C、特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D、靶物质原子序数较高特性X线的能量大E、70kVp以下钨不产生K系特征X线
B带()A、引入助色团产生溶剂改变使吸收峰向长波方向移动B、芳香旋化合物的特征吸收带C、由分子中振动、转动能级跃迁所引起D、当化合物结构改变或受溶剂影响时使吸收峰向短波方向移动E、发射光波长大于入射光波长
有关特征X线的解释,错误的是()A、高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B、特征X线的质与高速电子的能量有关C、特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D、靶物质原子序数较高特性X线的能量大E、70kVp以下不产生K系特征X线
荧光()A、引入助色团产生溶剂改变使吸收峰向长波方向移动B、芳香旋化合物的特征吸收带C、由分子中振动、转动能级跃迁所引起D、当化合物结构改变或受溶剂影响时使吸收峰向短波方向移动E、发射光波长大于入射光波长
单选题有关特征X线的解释,错误的是()A高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B特征X线的质与高速电子的能量有关C特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D靶物质原子序数较高特征X线的能量大E70kVp以下不产生K系特征X线
单选题高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。有关特征X线的解释,错误的是()A高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B特征X线的质取决于高速电子的能量C特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D靶物质原子序数较高特性X线的能量大E70kVp以下钨不产生K系特征X线
单选题B带()A引入助色团产生溶剂改变使吸收峰向长波方向移动B芳香旋化合物的特征吸收带C由分子中振动、转动能级跃迁所引起D当化合物结构改变或受溶剂影响时使吸收峰向短波方向移动E发射光波长大于入射光波长
单选题有关特征X线的解释,错误的是( )。A是高速电子与靶物质原子的内层轨道电子相互作用的结果B特征放射产生的X线的质与高速电子的能量有关C其波长,由跃迁的电子能量差所决定D靶物质原子序数较高时,特征X线的能量就大E钨靶在70kVp以下不产生K系特征X线
判断题由共轭体系π→π*跃迁产生的吸收带称为K吸收带。A对B错