如果（1）硅用铝（3价）、（2）硅用磷（5价）参杂；而（3）锗用铟（3价）、（4）锗用锑（5价）掺杂；则分别获得半导体属于下述类型正确的是A．（1）（2）均为n型半导体；（3）（4）均为p型半导体．B．（1）（3）均为n型半导体；（2）（4）均为p型半导体．C．（1）（3）均为p型半导体；（2）（4）均为n型半导体．D．（1）（2）均为p型半导体；（3）（4）均为n型半导体.

如果（1）硅用铝（3价）、（2）硅用磷（5价）参杂；而（3）锗用铟（3价）、（4）锗用锑（5价）掺杂；则分别获得半导体属于下述类型正确的是

A．（1）（2）均为n型半导体；（3）（4）均为p型半导体．

B．（1）（3）均为n型半导体；（2）（4）均为p型半导体．

C．（1）（3）均为p型半导体；（2）（4）均为n型半导体．

D．（1）（2）均为p型半导体；（3）（4）均为n型半导体.

参考答案和解析
（ 1 ）（ 3 ）均为 p 型半导体；（ 2 ）（ 4 ）均为 n 型半导体．

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P型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的。A.硅元B.锗元素C.三价硼元素D.五价锑元素
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在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。 A.1B.3C.5D.7
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半导体锗和硅都是四价元素，在原子结构的最外层都是（）个电子。A.2B.3C.4D.5
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怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
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如果在半导体材料中掺入（）等五价元素，将制作成N型半导体。A、铟B、铝C、硼D、锑
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锗、氧化亚铜、锑化铟是导体、硅、硒是半导体。
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霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟
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在四价元素硅中，加入五价元素磷则形成（）型半导体。A、NB、PC、PN
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根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
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在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
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在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。A、五B、四C、三D、二
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在半导体硅（锗）中掺入磷、锑等五价元素，得到P型半导体。
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在硅或锗本征半导体中掺如微量的（）就可得到N型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素
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在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素
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N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。A、1B、3C、5D、7
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要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（）A、三价元素B、四价元素C、五价元素D、六价元素
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在硅或锗本征半导体中掺入微量（）就可得到P型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素
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P型半导体是在有4个价电子的硅或锗中加入了有（）个价电子的铟元素。A、1B、3C、5D、7
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P型半导体是在本征半导体（硅、锗；四价）中加入微量的（）构成的。A、三价（硼）B、四价C、五价（磷）D、六价
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P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的。A、硅元B、锗元素C、三价硼元素D、五价锑元素
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用抗坏血酸还原-钼蓝分光光度法测定空气中五氧化二磷时，五价砷、四价硅和六价铬对本法测定都有干扰。
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单选题在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A三价B四价C五价
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单选题在硅或锗本征半导体中掺入微量（）就可得到P型半导体。A二价元素B三价元素C四价元素D五价元素
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单选题N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。A1B3C5D7
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单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A 温度越高，掺杂越快B 温度越低，掺杂越快C 温度恒定，掺杂最快D 掺杂快慢与温度无关
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