漏极电流以流入漏极为正方向,画出各种场效应管的转移特性曲线,并标出相应的参数(VT、VP或IDSS)的位置。

漏极电流以流入漏极为正方向,画出各种场效应管的转移特性曲线,并标出相应的参数(VT、VP或IDSS)的位置。


参考答案和解析
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相关考题:

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极

功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

请在图中画出螺线管上的电流方向和磁感线的方向,并标出处于静止状态时的小磁针的N极.

万用表置在Rxlk挡测量结型场效应管,若某两个电极的正、反向电阻相等,且为几千欧,则除此之外的第三个电极为()A、基极B、源极C、漏极D、栅极

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

在放大电路中,场效应管工作在漏极特性曲线的()区域。A、可调电阻区B、饱和区C、击穿区D、负阻区

功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

场效应管的电极为()。A、基极bB、发射极eC、集电极cD、源极sE、栅极gF、漏极d

场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压

在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的()。A、可变电阻(欧姆)区B、截止区C、饱和区

场效应管中,夹断电压表示漏极电流为()时的栅源电压。

场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

场效应管是通过改变()来改变漏极电流的,所以是一个()控制的()器件。

场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指()一定时,()与()这间的关系曲线,它可划分为()、()和()三个区域。

场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。

场效应管共漏极放大电路的信号是从()A、栅极输入,漏极输出B、源极输入,漏极输出C、栅极输入,源极输出D、漏极输入,源极输出

某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,试指出此场效管的类型。

场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。

场效应管漏极电流由()的漂移运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子

可控硅的门极触发电流是从()极流入晶闸管。A、阳极B、门极C、阴极D、漏极

场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。

单选题在放大电路中,场效应管工作在漏极特性曲线的()区域。A可调电阻区B饱和区C击穿区D负阻区

单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压

多选题功率MOSFET的极限参数指的是()。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压

单选题场效应管是以()控制漏极电流ID。AUDGBUDSCUGSDIGS