1、无限长直圆柱体,半径为R,沿轴向均匀流有电流.设圆柱体内(r < R )的磁感强度为Bi ,圆柱体外(r > R )的磁感强度为Be,则有A.Bi、Be均与r成正比B.Bi、Be均与r成反比C.Bi与r成反比,Be与r成正比D.Bi与r成正比,Be与r成反比
1、无限长直圆柱体,半径为R,沿轴向均匀流有电流.设圆柱体内(r < R )的磁感强度为Bi ,圆柱体外(r > R )的磁感强度为Be,则有
A.Bi、Be均与r成正比
B.Bi、Be均与r成反比
C.Bi与r成反比,Be与r成正比
D.Bi与r成正比,Be与r成反比
参考答案和解析
与 r 成正比 , 与 r 成反比.
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应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场计算,计算结果应为:A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B. r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C. r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r
应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知( )。A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
一无限长直圆筒,半径为R,表面带有一层均匀电荷,面密度为σ,在外力矩的作用下,这圆筒从t=0时刻开始以匀角加速度α绕轴转动.在t时刻圆筒内离轴为r处的磁感应强度B为( )。A.0B.μ0σRαtC.μ0σ×(R/r)αtD.μ0σ×(r/R)αt
在磁感强度为B的均匀磁场中作一半径为r的半球面s,s边线所在平面的法线方向单位矢量n与B的夹角为仅,则通过半球面s的磁通量(取弯面向外为正)为()。 A.r2BB.2r2BC.-πr2BsinαD.-πr2Bcosα
两共轴无限长圆柱面(R1=3×10-2米,R2=0.1米)带有等量异号的电荷,两者电势差为450伏,则两圆柱面上的电场强度为:()A、Er=3.74×102/r(伏/米);B、Er=3.74/r(伏/米);C、Er=5.35×102/r(伏/米);D、Er=5.35/r(伏/米)
两根长度相同的细导线分别多层密绕在半径为R和r的两个长直圆筒上形成两个螺线管,两个螺线管的长度相同,R=2r,螺线管通过的电流相同为I,螺线管中的磁感强度大小BR、Br满足()A、BR=2BrB、BR=BrC、2BR=BrD、BR=4Br
单选题应用安培环路定律φHdl=∑I,对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知()A在其外部,即rR处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同BrR处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度CrR处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D在其内部,即r
单选题应用安培环路定律∮LHdL=∑I,半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出()。A在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同Br>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度Cr>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
单选题采用集总参数法计算物体非稳态导热过程时,下列用以分析和计算物体的特征长度的方法中,错误的是( )。[2012年真题]A对于无限长柱体L=R/2,对于圆球体L=R/3,R为半径B对于无限大平板L=δ,δ为平板厚度的一半C对于不规则物体L=V(体积)/F(散热面积)D对于普通圆柱体L=R,R为半径
单选题对圆棒轴向通电磁化时,其电流按以下公式求出()(式中:I-电流,A;H-工件表面磁场强度,Oe;r-工件半径,cm)AI=r²H/2;BI=5²r²H;CI=10²r²H;DI=π²r²H/2