5、光在t=0时入射到半导体样品,并在t>0时在整个半导体中均匀地产生过剩载流子,产生率为5 x 1021 cm-3 S-1。n 型硅在 T=300 K 时,有Nd=5x 1016cm-3,Na =0。令ni=1.5 x 1010cm-3, τn0 = 10-6 s, τp0 = 10-7 s,并且μn= 1000 cm2/V-s,μp =420 cm2/V-s。试确定t≥0 时半导体电导率的时间函数。

5、光在t=0时入射到半导体样品,并在t>0时在整个半导体中均匀地产生过剩载流子,产生率为5 x 1021 cm-3 S-1。n 型硅在 T=300 K 时,有Nd=5x 1016cm-3,Na =0。令ni=1.5 x 1010cm-3, τn0 = 10-6 s, τp0 = 10-7 s,并且μn= 1000 cm2/V-s,μp =420 cm2/V-s。试确定t≥0 时半导体电导率的时间函数。


参考答案和解析
G光=G亮-G暗=1/50-1/5000=0.0198(s)该样品的光电导即为所求。

相关考题:

以下程序中函数 f 的功能是在数组 x 的 n 个数 ( 假定 n 个数互不相同 ) 中找出最大最小数 , 将其中最小的数与第一个数对换 , 把最大的数与最后一个数对换 . 请填空 .#include stdio.hviod f(int x[],int n){ int p0,p1,i,j,t,m;i=j=x[0]; p0=p1=0;for(m=0;mn;m++){ if(x[m]i) {i=x[m]; p0=m;}else if(x[m]j) {j=x[m]; p1=m;}}t=x[p0]; x[p0]=x[n-1]; x[n-1]=t;t=x[p1]; x[p1]= _[14]_______ ; _[15]_______ =t;}main(){ int a[10],u;for(u=0;u10;u++) scanf("%d",a[u]);f(a,10);for(u=0;u10;u++) printf("%d",a[u]);printf("\n");}

设有关键码序为(Q,G,M,Z,A,N,B,P,X,H,Y,S,T,L,K,E),采用二路归并排序法进行排序,下面哪一个序列是第二趟归并后的结果?A.G,Q,M,Z,A,N,B,P,H,X,S,Y,L,T,E,KB.G,M,Q,Z,A,B,N,P,H,S,X,Y,E,K,L,TC.G,M,Q,A,N,B,P,X,H,Y,S,T,L,K,E,ZD.A,B,G,M,N,P,Q,Z,E,H,K,L,S,T,X,Y

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。

在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

●试题二阅读下列程序或函数说明和C代码,将应填入(n)处的字句写在答题纸的对应栏内。【函数2.1说明】函数strcmp()是比较两个字符串s和t的大小。若s<t函数返回负数;若s=t函数返回0;若s>t,函数返回正数。【函数2.1】int strcmp(char *s,char *t){ while(*s *t (1) ){s++;t++;}return (2) ;}【程序2.2说明】在n行n列的矩阵中,每行都有最大的数,本程序求这n个最大数中的最小一个。【程序2.2】#includestdio.h#define N 100int a[N][N];void main(){ int row ,col,max,min,n;/*输入合法n(<100),和输入n×n个整数到数组a的代码略*/for (row=0;row<n;row++){for(max=a[row][0],col=1;col<n;col++)if( (3) )max=a[row][col];if( (4) )min=max;else if( (5) )min=max;}printf ("The min of max numbers is %d\n",min);}

[说明1]函数void convelt(chal *a,int n)是用递归方法将一个正整数n按逆序存放到一个字符数组a中,例如,n=123,在a中的存放为'3'、'2'、'1'。[C函数1]void convert(char *a,int n){ int i;if((i=n/10)!=0; convert( (1) ,i);*a= (2) ;}[说明2]函数int index(char *s,char *t)检查字符串s中是否包含字符串t,若包含,则返回t在s中的开始位置(下标值),否则返回-1。[C函数2]int index(char *s,char *t){ int i,j=0;k=0;for(i=0;s[i]!:'\0';i++)( for( (3) ;(t[k]!='\0')(s[j]!='\0')( (4) );j++,k++);if( (5) ) return(i);}return(-1);}

编写函数,isValue,它的功能是:求以下数列中满足t(K)=1的最小的k,结果由函数返回。其中数列t(n)的定义为:t(0)=m(m为给定正整数,m<=300)t(n+1)=t(n)/2 (当t(n)为偶数时)或t(n+1)=3*t(n)+1(当t(n)为奇数时)最后调用函数writeDat()读取50个数据m,分别得出结果且把结果输出到文件out.dar中。例如:当t=299时,函数值为117。已知对于m<=300,结果k不超过300部分源程序已给出。请勿改动主函数main()和写函数writeDat()的内容。include<stdio. h>int jsValue(int m){main ( ){int m;m=300;printf ("m=%d, k-%d\n", m, jsValue (m));writeDat ( );writeDat ( ){FILE *in, *out;int i,m,s;in= fopen ( "in. dar" , "r" );ut=f open ( "out. dar" , "w" );for (i=0; i<50; i++) {fscanf (in, "%d", m);s=jsValue (m);printf( "%d\n", s );fprintf (out, "%d\n" , s );}fclose (in);fclose (out);

由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。() 此题为判断题(对,错)。

下列程序的运行结果是()。includevoid fun(int*s,int*p){ static int t=3;*p=s[t];t--; 下列程序的运行结果是( )。#include<stdio.h>void fun(int*s,int*p){ static int t=3; *p=s[t]; t--;}void main(){ int a[]={2,3,4,5),k; int x; for(k=0;k<4;k++) { fun(a,x); printf("%d,",x); }}A.5,4,3,2B.2,3,4,5,C.2,2,2,2,D.5,5,5,5,

下列程序的运行结果是()。includevoid fun (int*s,int*p){ static int t=3; *p=s [t]; 下列程序的运行结果是( )。 #include<stdio.h> void fun (int*s,int*p) { static int t=3; *p=s [t]; t--; } void main() int a[]={2, 3, 4, 5},k; int x; for(k=0; k<4; k++) { fun (a, x); printf("%d,", x); }A.5,4,3,2B.2,3,4,5,C.2,2,2,2,D.5,5,5,5,

在执行以下程序时,为了使输出结果为t=4,给a和b输入的值应该满足的条件是_______。 main() { int s,t,a,b; scanf("%d%d",a,B) ; s=1;t=1; if(a>0)s=s+1; if(a>B) t=s+t; else if(a==B) t=5; else t=2*s; printf("t=%d\n",t); }A.a>bB.a<b<0C.0<a<bD.0>a>b

某操作系统有T个同类资源。现有两个进程P1和P2分别需要申请M和N个这类资源,M+N>T,M<T且N<T。规定:进程只能在运行过程中逐个地申请并得到资源,只有在得到所有资源后才会立即释放所有资源,在没有达到所需要的资源总数时不会释放资源。令进程P1和P2在某一时刻拥有的资源数量分别为m和n个,那么,只有在(26)时,系统是安全的。A.M+N<TB.M+N≤TC.(x<(T-N))∩(y<N)∪((T-M)≤x<M)∩(y<(T-M))∪(x=(T-N)∩(y=(T-M))D.(0≤x<(T-N))∪(x<(T-M))

阅读下列FORTAN程序:INTEGER X(7)DATA X/4,5,7,8,10,12,11/DO 10 K=l,7IF(MOD(X(K),2)NE. 0)THEN S=S+X(K)N=N+1 END IF 10 CONTINUE T=S/NWRITE(*,20)S,T 20 FORMAT(2X,3F6.1)END程序运行后的输出结果是:A. 23.0 7.7B. 47. 0 6.7C. 34. 0 8.5D. 57. 0 11.4

怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

在N型半导体中,()是多数载流子。A、空穴B、硅C、电子D、锗

N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。

P型半导体的多子为()、N型半导体的多子为()、本征半导体的载流子为()。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

理想气体经绝热节流后,其参数变化情况是()。A、ΔT0,Δp0,Δs0B、ΔT=0,Δp0,Δs0C、ΔT=0,Δp0,Δs0D、T=0,P0,s=0

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

本征半导体在热力学温度T=0K,且无其它外界影响的情况下,其导电能力与()一样。A、导体B、绝缘体C、P型半导体D、N型半导体

N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

问答题计算题:设聚丙烯为线性粘弹体,其柔量为D(t)=1.2t0.1(GPa)-1(t的单位为s),应力状态如下:δ=0 t0δ=1MPa 0≦t≦1000sδ=1.5MPa 1000s≦t≦2000s试计算1500s时,该材料的应变值。

判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。A对B错