工作在放大状态的晶体管,当IB从30uA增大到40uA时,IC从2.4mA变成3mA,则该管的β为()。 A、80B、60C、75D、100
工作于放大区的三极管,当IB从20μA增加到40μA时,IC从1mA变成2mA,则它的β约为() A、50B、100C、200D、20
在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦波时,输出电压波形负半周出现底部削平的失真,这种失真是()。 A、产生饱和失真，应增大偏置电流IBB、产生饱和失真，应减小偏置电流IBC、产生截止失真，应增大偏置电流IBD、产生截止失真，应减小偏置电流IB
在晶体管放大电路中,测得IC=2mA,IE=2.02mA,求IB和β各为多少?
晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电路的输入电阻为：
工作在放大状态的晶体管，当IB从30uA增大到40uA时，IC 从2.4mA变成3mA，则该管的β为（）。A.80B.60C.75D.100
晶体管放大电路的基本类型有共射接法，共集接法，共基极接法。
在共发射极电路中，当Ib=1mA时，Ic=50mA，当Ib=1.5mA时，Ic=100mA，此三极管的交流放大系数是（）。A、50B、67C、100D、33
工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）A、83；B、91；C、100
晶体管的放大作用体现在（）。A、△Ic△IbB、IcIbC、IcIbIeD、△Ic△Ib
某晶体管三极管工作在放大状态，测得IB=0.1mA，IE=8.1mA求IC，β？（）A、8B、16C、80D、32
在三极管的共射极电路中，当三极管工作在饱和区时应满足（）。A、Ic/IbβB、Ic/IbβC、Ic/Ib=βD、Ic=Ib=0
在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。
在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入电压为1kHz，100mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部失真，这种失真是（）
工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为。（）A、10B、50C、80D、100
在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz，5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是（）.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、频率失真
工作在放大区的某三极管，当IB从15μA增大到25μA时，IC从2mA增大到3mA，则其电流放大系数β约为（）。A、133B、120C、100
工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。A、83B、91C、100
某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数β约为（）。
测得三极管IB=30μA时，IC=2.4mA，而IB=40μA时，IC=3mA，则该管的交流电流放大倍数为（）A、80B、60C、75D、100
共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQ≈VCC，则可以判别晶体管工作在（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态
工作在放大区的晶体管，当IB从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为（）
在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100，则电路的放大倍数（）A、约为原来的1/2倍B、约为原来的2倍C、基本不变
晶体管基本放大电路有共射、共集、共基三种接法，请简述这三种基本放大电路的特点。
工作在放大区的某晶体管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA，它的β约为（）A、 10B、 50C、100
在共发射极电路中，已知发射与集电极之间的电压Uce=6V，当Ib=0.1mA时，Ic=20mA，当Ic=38mA，求电流放大系数β的值。
单选题工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）A83B91C100
单选题工作在放大区域的某三极管，当Ib从20μA增大到40μA时，IC从1m则它的β值约为（）。A10B50C80D100