27、总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。()

27、总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。()


参考答案和解析
正确

相关考题:

电容串联,总电容量________;而电容并联,总容量增加。这恰恰与电阻串并联的结论________。

几个电容器串联时,以下()是不对的。A、等效电容为各电容之和B、等效电容为各电容倒数之和的倒数C、总电压取决于击穿电压最高的电容器D、总电压为各电容器两端的电压之和

将三个相同的电容为C的电容器串联,总电容为()C。A、3B、1/6C、1/3

串联电容器的总电容,()任一串联电容器的电容,并联电容器的总电容,()任一并联电容器的电容A、大于小于B、小于大于C、小于小于D、大于大于

串联的电容器越多,总电容量越()。

一个电容为CμF的电容器,和一个电容为2μF的电容器串联,总电容为CμF的电容器的1/3,那么电容C是()。A、2μFB、4μFC、6μFD、8μF

电容器串联时,其总电容大于任何一个电容器的电容。

把不同容量的电容器串联起来,其总的电容量等于()。A、各个电容器容量之和B、各个电容器电容量之倒数和C、总电容的倒数等于各个电容倒数之和

串联电路的总电容与各分电容的关系是()。A、总电容分电容B、总电容=分电容C、总电容分电容D、无关

电容器串联后总电容量等于各串联电容量之倒数和的()。

并联电容器的总电容等于各电容器()之和,串联电容器的总电容的倒数等于各分电容器的()之和。

电容串联,各电容器上电压相等,总的等效电容量等于各电容量之和。

二个电容串联,C1容抗为5Ω,C2容抗为10Ω,则()。A、总电容小于10ΩB、总容抗小于10ΩC、C1电容量较C2电容量大D、容抗与频率无关

电容串联电路,电容串得越多,总电容()。A、越小B、越大C、相等

几个电容器串联连接时,其总电容量等于()A、各串联电容量的倒数和B、各串联电容量之和C、各串联电容量之和的倒数D、各串联电容量之倒数和的倒数

电容器串联时,各电容器上电压相等,总电容等于各电容量之和。

两个电容器的电容一定,要使总电容增大,则采用串联。

电容器串联时,等效总电容的倒数等于(),电容并联时,等效电容等于()。

微分电路是由()而构成的。A、电容与电阻并联B、电感与电阻并联C、电容与电阻串联D、电感与电阻串联

电容也与电阻一样,可以串联使用,也可以并联使用,电容并得越多则总的电容容量就越小。

如果n个容量相等的电容器串联,则总电容等于单个电容器的()。A、电容B、电容乘以nC、电容除以n

几个电容器串联连接时,其总电容量等于()。A、各串联电容量的倒数和B、各串联电容量之和C、各串联电容量之和的倒数D、各串联电容量倒数和的倒数

下列说法正确的是()。A、电容器并联后总电容量等于各并联电容量之倒数和的倒数;B、电容器串联后总电容量等于各串联电容之和;C、电容器并联后总电容量等于各并联电容之和;D、电容器串联后总电容量等各串联电容量之倒数和的倒数

电容器串联组的总电容的倒数等于各个电容器的电容值的倒数之和。

单选题一个电容为CμF的电容器,和一个电容为2μF的电容器串联,总电容为CμF的电容器的1/3,那么电容C是()。A2μFB4μFC6μFD8μF

单选题微分电路是由()而构成的。A电容与电阻并联B电感与电阻并联C电容与电阻串联D电感与电阻串联

单选题几个电容器串联连接时,其总电容量等于()。A各串联电容量的倒数和B各串联电容量之和C各串联电容量之和的倒数D各各串联电容量之倒数和的倒数

问答题试分析双电层电容为什么等于紧密层电容和分散层电容的串联?