第一题：填空题 （每题4分， 共40分） 1.封装在光电隔离器里面的是 和 。 2. 光电效应以其表现形式不同， 可以分为 和 。 3. 基于外光电效应原理工作的光电器件有 和 。 4. 基于光电导效应原理工作的光电器件有 。 5. 基于光生伏特效应原理工作的光电器件有 、 和 等 。 6. 硅光电池的结构是在N型硅片上渗入P型杂质形成一个 PN结而成。 7.光电传感器的光照特性是指 。 8. 光电传感器的光谱特性是指 。 9.光电二极管和光电三极管的伏安特性是指 。 10.光电传感器的温度特性是指 。
第一题：填空题 （每题4分， 共40分） 1.封装在光电隔离器里面的是 和 。 2. 光电效应以其表现形式不同， 可以分为 和 。 3. 基于外光电效应原理工作的光电器件有 和 。 4. 基于光电导效应原理工作的光电器件有 。 5. 基于光生伏特效应原理工作的光电器件有 、 和 等 。 6. 硅光电池的结构是在N型硅片上渗入P型杂质形成一个 PN结而成。 7.光电传感器的光照特性是指 。 8. 光电传感器的光谱特性是指 。 9.光电二极管和光电三极管的伏安特性是指 。 10.光电传感器的温度特性是指 。
参考答案和解析
孔的上偏差=Lmax-L=44.986mm-45mm=-0.014mm
孔的下偏差=Lmin–L=44.963mm–45mm=-0.037mm
公差为：上偏差–下偏差=-0.014MM–（-0.037mm）
=-0.014mm+0.037mm
=0.023mm
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关于光电池的最合适的说法是（）。A、光电池是基于外光电效应原理工作的；B、光电池是基于光在PN结上产生光生电子对工作的；C、光电池是基于内光电效应原理工作的；D、光电池是基于光电管原理工作的。
单选题光敏电阻是（）器件，属于（）A光电导器件，外光电效应B光电发射器件，外光电效应C光生伏特器件，内光电效应D光电导器件，内光电效应