NPN型和PNP型三极管的主要区别是()。A、由两种不同材料构成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、放大倍数不同
光电测速传感器输出的脉冲信号与转速的关系正确的是:()。 A、光电传感器信号在高转速时变弱B、光电传感器信号在高转速时变强C、光电传感器信号强弱与转速无关D、光电传感器信号在低转速时变弱
在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管
三极管按结构不同可分成NPN型和PNP型两种。（）
3DG型三极管的制作材料、类型是（）。A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
晶体三极管根据内部结构不同分为（）。A、PNP型和NPN型B、PNN型和NPP型C、NPP型和PNP型D、NPN型和NPP型
根据被测参数的变化量，可以把电容式传感器分为（）型电容传感器，（）型电容传感器和（）型传感器。
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
测量发电机高速轴转速的传感器放置在刹车盘上，有24VDC提供，信号类型是PNP。
三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
测PNP型三极管输出特性曲线时，集电极电压和阶梯信号的极性分别是（）A、正、负B、负、正C、负、负D、正、正
在本质半导体加入三价的硼，则成为（）。A、N型B、P型C、NPN型D、PNP型
NPN型和PNP型三极管的区别是（）。A、由两种不同的材料硅和锗构成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、放大倍数不同
在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（）A、NPN型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、PNP型硅管
属于物性型传感器为（）。A、应变式传感器B、电感式传感器C、电容式传感器D、压电式传感器
NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。
PNP型和NPN型两种结构的三极管在使用时，电源的极性相同。
根据电容式传感器的工作时变换参数的不同，可以将电容式传感器分为哪几种类型？
PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V，这三极管的类型是（）。A、 PNP型Ge管B、 PNP型Si管C、 NPN型Ge管D、 NPN型Si管
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
单选题光电测速传感器输出的脉冲信号与转速的关系正确的是（）。A光电传感器信号在高转速时变弱B光电传感器信号在高转速时变强C光电传感器信号强弱与转速无关D光电传感器信号在低转速时变弱
填空题NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。
填空题根据被测参数的变化量，可以把电容式传感器分为（）型电容传感器，（）型电容传感器和（）型传感器。
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A硅PNP型B硅NPN型C锗PNP型D锗NPN型