N型半导体中,自由电子为多数载流子,空穴为少子。() 此题为判断题(对，错)。
在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。() 此题为判断题(对，错)。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
在N型半导体中，（）是多数载流子。A、负电荷B、空穴C、正电荷D、自由电子
在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
P型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、正离子
对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
N型半导体中多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子
P型半导体中的多数载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子
在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
单选题N型半导体中的多数载流子是（）。A自由电子B空穴C束缚电子D晶格上的离子
单选题N型半导体的多数载流子是（）。A电流B自由电子C电荷D空穴
单选题在N型半导体中，（）是多数载流子。A负电荷B空穴C正电荷D自由电子
单选题N型杂质半导体中，多数载流子是（）A正离子B负离子C空穴D自由电子
单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A空穴／自由电子B自由电子／空穴C空穴／共价键电子D负离子／正离子
填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
单选题在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子