电阻应变片的灵敏度系数K指的是()。A.应变片电阻值的大小B.单位应变引起的应变片相对电阻值变化C.应变片金属丝的截面积的相对变化D.应变片金属丝电阻值的相对变化

电阻应变片的灵敏度系数K指的是()。

A.应变片电阻值的大小
B.单位应变引起的应变片相对电阻值变化
C.应变片金属丝的截面积的相对变化
D.应变片金属丝电阻值的相对变化

参考解析

解析：

相关考题：

贴电阻片处的应变为1000,电阻片的灵敏系数K=2.0,在这个电阻片上应产生对电阻变化率应是下列哪一个?() A、0.2%B、0.4%C、0.1%D、0.3%
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不能提高电桥的灵敏度的是( )。 A. 半桥双臂各串联一片电阻应变片B. 半桥双臂各并联一片电阻应变片C. 适当提高电桥的电源电压D. 增大应变片的初始电阻值
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电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。 A、单位应变的电阻变化量B、单位电阻的应变变化量C、单位应变的电阻变化率D、单位电阻的应变变化率
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电阻应变片的灵敏度系数K指的是（　　）。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化
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贴电阻片处的应变为1500με，电阻片的灵敏系数K=2.0，在这个电阻片上产生的电阻变化率应是（）。A、0.2%B、0.4%C、0.1%D、0.3%
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应变片丝式敏感栅的材料是（）。为确保应变片的性能，对此类材料的主要要求是：应变灵敏系数（），且为（）；电阻率（）；电阻温度系数（）。
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假设电阻应变片的灵敏系数K=2，R0=120Ω。问：在试件承受600με时，电阻变化值ΔR=多少？
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在电阻应变片灵敏度公式，S=（1+2μ）+λE中，λ代表（）A、材料泊松比B、材料的压阻系数C、材料弹性模量D、应力
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金属丝的灵敏度Ks恒小于同一材料金属应变片的灵敏系数K。
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金属应变片的灵敏系数比应变电阻材料本身的灵敏系数小。
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半导体应变片以（）效应为主，它的灵敏度系数为金属应变片的（）倍。
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为提高电桥灵敏度，可采取（）A、半桥双臂各串联一片电阻应变片B、半桥双臂各并联一片电阻应变片C、适当提高电桥的电源电压D、增大应变片的初始电阻值
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半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比（）A、半导体应变片的灵敏度高B、二者相等C、电阻应变片的灵敏试验高D、不能确定
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为提高电桥的灵敏度，可采取的方法是（）A、半桥双臂各串联一片电阻应变片B、半桥双臂各并联一片电阻应变片C、适当提高电桥的电源电压D、增大应变片的初始电阻值
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应变计灵敏度k横小于金属线材的灵敏度系数k。
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关于电阻应变片，下列说法中正确的是（）A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化
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应变计的灵敏度K恒小于金属材料的灵敏度系数K0。
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当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致，且试件轴线上受一维应力作用时，应变片灵敏系数K的定义是（）。A、应变片电阻相对变化与试件主应力之比B、应变片电阻与试件主应力方向的应变之比C、应变片电阻相对变化与试件主应力方向的应变之比D、应变片电阻相对变化与试件作用力之比
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电阻应变片中，电阻丝（）的灵敏系数小于其（）的灵敏系数的现象，称为应变片的横向灵敏系数。
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单选题贴电阻片处的应变为1500με，电阻片的灵敏系数K=2.0，在这个电阻片上产生的电阻变化率应是（）。A0.2%B0.4%C0.1%D0.3%
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问答题假设电阻应变片的灵敏系数K=2，R0=120Ω。问：在试件承受600με时，电阻变化值ΔR=多少？
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单选题电阻应变片的灵敏度系数K指的是（）。A应变片电阻值的大小B单位应变引起的应变片相对电阻值变化C应变片金属丝的截面积的相对变化D应变片金属丝电阻值的相对变化
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单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）A金属应变片主要利用压阻效应B金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。
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填空题双向应变场下，由于应变计的（），使得应变计的灵敏度系数K一般比单丝灵敏度系数（）。
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判断题金属丝的灵敏度Ks恒小于同一材料金属应变片的灵敏系数K。A对B错
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单选题电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是（）。A单位应变的电阻变化量B单位电阻的应变变化量C单位应变的电阻变化率D单位电阻的应变变化率
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问答题金属应变材料的灵敏度系数K受什么因素影响？
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单选题半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比（）A半导体应变片的灵敏度高B二者相等C电阻应变片的灵敏试验高D不能确定
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