下列关于DS5000描述正确的是()。A、控制器内部采用了PCIE的总线B、意外掉电时,将Cache数据写入专用的闪盘C、相比DS4800,支持更多的磁盘扩展柜D、以上全部正确

下列关于DS5000描述正确的是()。

  • A、控制器内部采用了PCIE的总线
  • B、意外掉电时,将Cache数据写入专用的闪盘
  • C、相比DS4800,支持更多的磁盘扩展柜
  • D、以上全部正确

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存储系统的分级结构按速度排序(用>表示速度更快),下列正确的是() A、cache>主存>光盘>磁盘B、cache>磁盘>主存>光盘C、cache>主存>磁盘>光盘D、cache>光盘>磁盘>主存

在NetWare中,当工作站用户请求将数据和文件写入硬盘时,先将其写入内存缓冲区,然后以后台方式写入磁盘中的过程称为A.目录Cache B.目录Hash C.文件Cache D.后台写盘功能

.DS5000系列磁盘阵列中,只有DS5020控制器是独立的,其他的控制器抽屉都包括磁盘。 A.错误B.正确

DS5000系列磁盘阵列中,只有DS5020控制器是独立的,其他的控制器抽屉都包括磁盘,这个说法对否? A.错误B.正确

80586(Pentium)486与DX相比,其特点是( )。A.有浮点处理功能B.有Cache存储器C.内部数据总线为32位D.外部数据总线为64位

如下关于零存储数据读写的说法,哪些是正确的() A、读取数据仅读取主副本B、数据写入时同时写入主副本和次副本C、不同线程可以并发写入数据D、数据写入到磁盘以后系统返回写入完毕指令

关于华为T系列存储阵列cache镜像技术,以下描述不正确的是 () A. 存储设备双控制器都存在相同大小规格的CacheB. 主机读请求下发时,会分别从本端控制器的Cache及对端控制器的Cache中读取数据C. Cache镜像通道可采用FC SAS 或PCI-eD. 主机写请求下发时,会将这部分数据分别写到本段控制器的Cache及对端控制器的Cache

华为S5600T/5800T/6800T系列存储设备是盘控分离架构,掉电后Cache脏数据将写入硬盘框的保险箱盘中。 A.错误B.正确

Lenovo|EMCVNX存储系统的磁盘扩展柜描述正确的是() A.有3.5寸12盘位的扩展柜B.有2.5寸24盘位的扩展柜C.有3.5寸15盘位的扩展柜D.有2.5寸25盘位的扩展柜

以下有关FusionStorage相关内容描述正确的有?( ) A、FusionStorage OSD在收到VBS发送的IO操作时,会将IO缓存在SSD Cache后完成节点操作,无需等待写入标本磁盘B、FusionStorage支持将服务器内存用作读缓存,NVDIMM和SSD用作写缓存C、FusionStorage的读缓存采用分层机制,第一层为内存Cache,内存Cache采用LRU机制缓存数据;第二层为SSD Cache,SSD Cache采用热点读机制,系统会自动缓存数据到SSD中,同时会将长时间未被访问的数据移除SSDD、FusionStorage集群内各服务器节点和带宽都均匀分布到各个节点服务器上,不存在独立服务系统中大量磁盘共享计算设备及存储设备之间有限的带宽问题

下列关于RAID 0说法正确的是()A、RAID 0提高存储性能的原理是把连续的数据分散到多个磁盘上进行存取B、随机数据写入,安全性要求高C、通过把数据分散到阵列的各个磁盘,当系统有数据请求时就可以被多个磁盘并行执行,每个磁盘执行属于自身部分的数据请求D、数据上的并行操作可以充分利用总线带宽,显著提高磁盘整体存取性能

下列选项中关于RAID 5描述正确的是()A、百分之百备份数据,备份数据占用了总存储空间的一半B、是不提供数据冗余,一旦用户数据损坏,损坏的数据将无法得到恢复C、代表RAID中最高的磁盘性能D、RAID 5具有和RAID 0相近似的数据读取速度,只是多了一个奇偶校验信息,写入数据的速度比对单个磁盘进行写入操作要稍慢

下列对于进程的描述正确的是()。A、SMON:打开数据库,支持实例与数据库的连接B、PMON:管理用户会话C、DBWn:负责数据文件的所有写入D、LGWR:将应用于数据库高速缓存区中数据的所有变化写入磁盘上的联机重做E、CKPT:确保实例不时地与数据库同步,但不能控制这种同步情况的发生频率

双控制器存储系统普遍含有镜像通道,写入存储系统Cache的数据会通过镜像通道写入对端控制器。

存储系统中双控制器之间的Cache镜像是通过哪种技术传输Cache中的数据()。A、1Gb ISCSIB、10Gb ISCSIC、8Gb FCD、PCIE

下列关于磁盘的描述中,正确的是()。A、减少磁盘的寻道时间可以显著改善系统性能B、当关掉电源后,磁盘存储的内容丢失C、磁盘属于字符设备D、磁盘的动作不局限于机械运动,可以无限快

下列关于磁盘存储器的描述,不正确的是()。A、数据的写入和读出是合用一个磁头,称为读写磁头B、磁盘控制器是主机和磁盘驱动器之间的接口C、磁盘的道密度指沿磁盘半径方向单位长度上的磁道数D、磁盘记录面外圈的扇区比内圈的扇区要长,因此每个扇区记录的信息也要多

关于华为T系列存储阵列cache镜像技术,以下描述不正确的是 ()A、存储设备双控制器都存在相同大小规格的CacheB、主机读请求下发时,会分别从本端控制器的Cache及对端控制器的Cache中读取数据C、Cache镜像通道可采用FC SAS 或PCI-eD、主机写请求下发时,会将这部分数据分别写到本段控制器的Cache及对端控制器的Cache

Lenovo|EMCVNX存储系统的磁盘扩展柜描述正确的是()A、有3.5寸12盘位的扩展柜B、有2.5寸24盘位的扩展柜C、有3.5寸15盘位的扩展柜D、有2.5寸25盘位的扩展柜

以下对华为OceanStorV3存储系统中NFS写入模式描述正确的是?()A、同步模式是写入共享的数据想写入缓存,然后再写入磁盘B、异步模式是写入共享的数据立即写入硬盘C、系统默认的是异步写入模式D、系统默认的是同步写入模式

华为S5600T/5800T/6800T系列存储设备是盘控分离架构,掉电后Cache脏数据将写入硬盘框的保险箱盘中。

下列关于DS5000描述正确的是:()A、控制器内部采用了 PCIE 的总线B、意外掉电时,将 Cache 数据写入专用的闪盘C、相比 DS4800,支持更多的磁盘扩展柜D、以上全部正确

下面关于总线的描述中正确的是()。A、只有主板上才有总线,总线由一排铜线构成B、总线就是指数据总线C、一般情况下总线只能单向传输数据D、以上都不正确

单选题下列关于磁盘存储器的描述,不正确的是()。A数据的写入和读出是合用一个磁头,称为读写磁头B磁盘控制器是主机和磁盘驱动器之间的接口C磁盘的道密度指沿磁盘半径方向单位长度上的磁道数D磁盘记录面外圈的扇区比内圈的扇区要长,因此每个扇区记录的信息也要多

单选题以下对华为OceanStorV3存储系统中NFS写入模式描述正确的是?()A同步模式是写入共享的数据想写入缓存,然后再写入磁盘B异步模式是写入共享的数据立即写入硬盘C系统默认的是异步写入模式D系统默认的是同步写入模式

单选题下列关于DS5000描述正确的是:()A控制器内部采用了 PCIE 的总线B意外掉电时,将 Cache 数据写入专用的闪盘C相比 DS4800,支持更多的磁盘扩展柜D以上全部正确

多选题Lenovo|EMCVNX存储系统的磁盘扩展柜描述正确的是()A有3.5寸12盘位的扩展柜B有2.5寸24盘位的扩展柜C有3.5寸15盘位的扩展柜D有2.5寸25盘位的扩展柜

单选题关于华为T系列存储阵列cache镜像技术,以下描述不正确的是 ()A存储设备双控制器都存在相同大小规格的CacheB主机读请求下发时,会分别从本端控制器的Cache及对端控制器的Cache中读取数据CCache镜像通道可采用FC SAS 或PCI-eD主机写请求下发时,会将这部分数据分别写到本段控制器的Cache及对端控制器的Cache