C200满配时候的功耗为300W A.错误B.正确
C200满配时候的功耗为300W
A.错误
B.正确
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将宽长比为5,氧化层厚度为2 nm,电子迁移率为600 cm^2/Vs的NMOS器件用作可控电阻器。为了要在源漏电压较小的时候获得开态电阻等于300W,请问(VGS-Vt)应为()V。
A.错误
B.正确