对简单低共熔体系,在最低共熔点,当温度继续下降时,体系存在()A、一相B、二相C、一相或二相D、三相

对简单低共熔体系,在最低共熔点,当温度继续下降时,体系存在()

  • A、一相
  • B、二相
  • C、一相或二相
  • D、三相

相关考题:

当1mol理想气体在一个封闭容器中进行绝热可逆膨胀时,体系的温度() A、升高B、下降C、不变D、不确定

药物溶解在固体载体中形成的均相体系称A.固态溶液B.玻璃溶液C.低共熔混合物D.同质多晶物E.共沉淀物

简单低共熔双组分系统T-x相图如图所示。当物系点M随温度下降时,固相物质与液相物质重量的比值 ()A增大B减小C不变D先增大,后减小

简单低共熔混合物二组分系统液-固平衡中,低共熔点的自由度 f=?A.1B.2C.3D.0

当混合物的熔融温度和组成都不随时间而改变时得到的混晶为简单低共熔混合物。() 此题为判断题(对,错)。

简单低共熔混合物中药物存在形式是( )。A、分子状态B、胶态C、微晶D、无定形E、物理态

简单低共熔混合物中药物以何种状态存在A.无定形B.胶态C.分子D.晶体E.微晶

在开口系统中,温度开始上升时,腐蚀速度加快;当温度高于70℃时,继续升温腐蚀速度急剧下降。A对B错

当体系温度低于()℃时,在不同温度和压力下就会有水合乙炔晶体生成,当体系温度高于该温度时,不论压力多么高,也不会有水合乙炔晶体生成A10B16C20D25

在分析三元系相图过程中,要注意:界线性质与相应化合物的性质没有明显关系。生成不一致化合物的体系不一定出现转熔线,而生成一致熔融化合物的体系中一定之出现低共熔线。

下列对熔断器熔体描述正确的是()。A、熔断器熔体常用低熔点的合金制成B、熔体必须串联在被保护的电气设备电路中C、当设备发生短路时,熔体温度急剧升高并熔断D、当设备发生过流时,熔体温度急剧升高并熔断

当体系温度低于()℃时,在不同温度和压力下就会有水合乙炔晶体生成,当体系温度高于该温度时,不论压力多么高,也不会有水合乙炔晶体生成A、10B、16C、20D、25

系统温度补偿值的设置依据是当系统工作在()状态时﹐当电池温度偏离25℃时﹐对电池充电电压所做的微小调整。简单来说﹐当电池温度上升时﹐电池充电电压()﹔当电池温度下降时﹐电池充电电压()。

三院系中的界线有低共熔线和转熔线两种。为了区分这两种性质的界线,在三元系相图中规定了用()箭头表示低共熔线下降的方向,用()箭头表示转熔线的温度下降方向。

在简单三元低共熔体系内,液相面和固相面之间所围的空间是由六个不同的()所构成,而不是一个整体。

用()表示低共熔线上温度降低的方向,用()表示转熔线上温度降低的方向

下列与低共熔现象产生无关的条件是()A、药物的结构和性质B、低共熔点的高低C、组分的比例量D、药物颗粒的大小E、生产环境和技术

在相图上,当体系处于下列哪一点时只存在一个相?()A、恒沸点B、熔点C、临界点D、低共熔点

在有低共熔点存在的体系,若步冷曲线上出现平台,此时,体系存在的相数()A、1B、2C、3D、2或3

单选题当体系温度低于()℃时,在不同温度和压力下就会有水合乙炔晶体生成,当体系温度高于该温度时,不论压力多么高,也不会有水合乙炔晶体生成A10B16C20D25

填空题在硅酸盐熔体中,当以低聚物为主时,体系的粘度()、析晶能力()。

填空题三院系中的界线有低共熔线和转熔线两种。为了区分这两种性质的界线,在三元系相图中规定了用()箭头表示低共熔线下降的方向,用()箭头表示转熔线的温度下降方向。

判断题在硅酸盐熔体中,当以低聚物为主时,体系的粘度低、析晶能力大。A对B错

填空题在简单三元低共熔体系内,液相面和固相面之间所围的空间是由六个不同的()所构成,而不是一个整体。

多选题下列与低共熔现象产生无关的条件是()A药物的结构和性质B低共熔点的高低C组分的比例量D药物颗粒的大小E生产环境和技术

填空题用()表示低共熔线上温度降低的方向,用()表示转熔线上温度降低的方向

单选题药物溶解在固体载体中形成的均相体系称()A固态溶液B玻璃溶液C低共熔混合物D同质多晶物E共沉淀物