地网导通电阻大于()mΩ时应进行校核测试。A、30B、50C、70D、90

地网导通电阻大于()mΩ时应进行校核测试。

  • A、30
  • B、50
  • C、70
  • D、90

相关考题:

独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试

独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试。其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于300mΩ且初值差不大于50%。

下列关于设备接地引下线导通检查说法正确的是( )(A)独立避雷针的检查周期为每年一次 (B)测试点和参考点的位置应和以往测试不同 (C)设备接地引下线导通电阻值应小于等于150mΩ (D)当独立避雷针导通电阻值低于500mΩ时,需进行校核测试

下列关于设备接地引下线导通检查说法正确的是( )。独立避雷针的检查周期为每年一次$;$测试点和参考点的位置应和以往测试不同$;$设备接地引下线导通电阻值应小于等于150mΩ$;$当独立避雷针导通电阻值低于500mΩ时,需进行校核测试。

独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试。其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于200mΩ且初值差不大于( )。20%$;$30%$;$40%$;$50%

接地装置运行一般规定中,独立避雷针导通电阻低于()mΩ时应进行校核测试。其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于200mΩ且初值差不大于50%500$;$400$;$300$;$200

独立避雷针导通电阻低于300mΩ时应进行校核测试,其他部分导通电阻大于60mΩ时应进行校核测试

根据《国家电网公司变电运维管理规定》,除独立避雷针外其他部分导通电阻大于100mΩ时应进行校核测试,应不大于200mΩ且初值差不大于50%。

独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试。其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于( )且初值差不大于50%。50mΩ$; $100mΩ$; $150mΩ$; $200mΩ

独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于200mΩ且初值差不大于()%(A)50 (B)40 (C)55 (D)35

独立避雷针导通电阻低于(____)时应进行校核测试。100mΩ$; $500mΩ$; $250mΩ$; $50mΩ

独立避雷针导通电阻大于500mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于200mΩ且初值差不大于50%

独立避雷针导通电阻低于 ()mΩ时应进行校核测试。50$;$500$;$450$;$550

独立避雷针导通电阻(____)时应进行校核测试。低于500mΩ$;$高于500mΩ$;$低于800mΩ$;$高于800mΩ

除独立避雷针外其他部分导通电阻大于100mΩ时应进行校核测试,应不大于200mΩ且初值差不大于50%

独立避雷针的接地电阻测试导通电阻值高于500mΩ时,需进行校核测试

依据《接地装置运维细则》的规定,独立避雷针导通电阻低于()mΩ时应进行校核测试750$; $500$; $1000$; $1500

独立避雷针导通电阻低于()mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于200mΩ且初值差不大于50%(A)100 (B)500 (C)50 (D)200

接地装置运行一般规定中,独立避雷针导通电阻低于()mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于200mΩ且初值差不大于50%(A)500 (B)400 (C)300 (D)200

独立避雷针导通电阻低于()mΩ时应进行校核测试(A)750 (B)500 (C)1000 (D)1500

若为独立的集中接地装置接地电阻小于等于10Ω;若与主地网连接,接地导通测试值应小于40mΩ。

独立避雷针导通电阻低于()mΩ时应进行校核测试。A、50B、500C、450D、550

独立避雷针每年进行接地导通检测,导通电阻()或()500mΩ时是否进行了校核测试。A、小于B、大于C、等于D、以上说法都不对

独立避雷针每年进行接地导通检测,导通电阻小于或等于500mΩ时是否进行了校核测试。

独立避雷针()进行接地导通检测,导通电阻小于或等于500mΩ时是否进行了校核测试。A、每半年B、每年C、每两年D、每三年

接地装置运行规定中,下列说法正确的是()。A、禁止在有雷电时进行接地导通、接地电阻检测工作B、独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试C、变电站的接地网不得作为电焊机地线使用D、螺栓连接接地体应有可靠的防松动措施,避雷针接地体应采用焊接连接

独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试。其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试,应不大于()且初值差不大于50%。A、50mΩB、100mΩC、150mΩD、200mΩ