关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降
关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。
- A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加
- B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大
- C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高
- D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降
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下列关于电流互感器的叙述正确的是（）。A、电流互感器适用于大电流测量B、电流互感器和变压器工作原理相同，所以二次侧不能短路C、为测量准确电流互感器二次侧必须接地D、电流互感器运行时副边可以开路
按照《电子式电流互感器技术规范》的规定，下面属于电子式电流互感器例行试验项目的是（）A、操作冲击试验。B、一次端的工频耐压试验。C、局部放电测量。D、保护用电子式电流互感器的补充准确度试验。E、电容量和介质损耗因数测量。
电流互感器出厂验收标准卡中，电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为（）。A、对于油浸式电流互感器，参照GB20840.2-2014中表209的要求，分电容型和非电容型进行考核B、对于35kV以上电压等级的合成薄膜式的电流互感器，10kV~Um√3电压下介质损耗因数tanδ小于等于0.25%C、对于Um≥252kV的油浸式电流互感器，在0.5Um/√3~Um/√3的测量电压下，介质损耗因数（tanδ）测量值的增值不应大于0.001D、对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于0.02
电流互感器出厂试验，对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于（）。A、0.01B、0.02C、0.03D、0.04
用不拆高压引线方式测量220kV电容式电压互感器介损及电容量，操作正确的是（）。A、用反接屏蔽法测量电容分压器上节B、用正接法测量电容分压器上节C、用自激法测量电容分压器中、下节D、用反接法测量电容分压器中、下节
关于电流互感器电容量和介质损耗因数的表述正确的是（）。A、电容量初值差不应超过±3％B、末屏介质损耗因数要求小于0.015C、测量值异常，可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线D、220kV电流互感器介损值应小于0.006
多选题高压直流电流测量装置通常有哪三种（）A电磁式直流电流互感器B光电式直流电流互感器C纯光学式直流电流互感器D电容式直流电流互感器