送电线路绝缘应依据审定的污秽分区图进行设计，其选择绝缘子片数的原则是（）A、线路爬电距离要求B、绝缘子串污耐压C、污秽物的导电率及吸湿性D、远离污秽源
送电线路绝缘应依据审定的污秽分区图进行设计，其选择绝缘子片数的原则是（）
- A、线路爬电距离要求
- B、绝缘子串污耐压
- C、污秽物的导电率及吸湿性
- D、远离污秽源
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某220kV线路，某段路径穿越工矿污秽区，据地网局审定的“污区分布图”，被划分为II级污移区，现拟选用XWP-70耐污型悬式绝缘子（高146cm泄漏距离400mm）请核算： 悬垂绝缘子串需要的片数（）。A.13；B.14；C.15； D.16。
海拔1000m以下非污秽区，送电线路悬垂绝缘子串的片数，一般按设计规程要求的最少片数选择，但应根据线路实际情况修正。 耐张绝缘子串的片数应较悬垂绝缘子串（）。A.减少一片； B.相同；C.増加一片； D.根据电压等级增加1~2片。
海拔1000m以下非污秽区，送电线路悬垂绝缘子串的片数，一般按设计规程要求的最少片数选择，但应根据线路实际情况修正。 海拔超过1000m的地区，海拔髙度每增髙100m，其绝缘子片数较1000m以下规定片数增加（）。A.0.5%； B.1%； C.1.5%, D.2%。
每串绝缘子的片数在满足操作过电压要求的词时，还应符合工频电压的爬电距离要求，防污设计依照审定的污秽分区和污秽标准分级及爬距要求（见DL/T5092—1999《线路设计规程》附录B），计算公式为式中m—每串绝缘子片数；Um——系统最高运行电压，kV;λ——要求的爬电比距，cm/kV；L0——每片悬式绝缘子的几何爬电距离，cm;Kc——式绝缘子的有效系数。 同（2）,但若选用 XPW-160绝缘子（Kc=0.94,L0=40cm,Um=525kV）要求的片数为（）。A.28； B.30； C.37； D.34。
每串绝缘子的片数在满足操作过电压要求的词时，还应符合工频电压的爬电距离要求，防污设计依照审定的污秽分区和污秽标准分级及爬距要求（见DL/T5092—1999《线路设计规程》附录B），计算公式为式中m—每串绝缘子片数；Um——系统最高运行电压，kV;λ——要求的爬电比距，cm/kV；L0——每片悬式绝缘子的几何爬电距离，cm;Kc——式绝缘子的有效系数。 某500kV线路其二级污秽区的悬垂绝缘子串若选用XP1-160绝缘子要求的片数为（）。A.35； B.37; C.39； D.40。
海拔1000m以下非污秽区，送电线路悬垂绝缘子串的片数，一般按设计规程要求的最少片数选择，但应根据线路实际情况修正。 送电线路绝缘应依照审定的污秽分区图进行防污设计，其选择绝缘子片数的原则是：（）。A.线路爬电比距要求； B.绝缘子串污耐压；C.污秽物的导电率及吸湿性； D.离污秽源的距离。
每串绝缘子的片数在满足操作过电压要求的词时，还应符合工频电压的爬电距离要求，防污设计依照审定的污秽分区和污秽标准分级及爬距要求（见DL/T5092—1999《线路设计规程》附录B），计算公式为式中m—每串绝缘子片数；Um——系统最高运行电压，kV;λ——要求的爬电比距，cm/kV；L0——每片悬式绝缘子的几何爬电距离，cm;Kc——式绝缘子的有效系数。 某500kV线路，其清洁区悬垂绝缘子串用XP1-160绝缘子（Kc=1,L0=30.5cm,Um=550kV）要求的片数为（）。A.24； B.25； C.26； D.27。
海拔1000m以下非污秽区，送电线路悬垂绝缘子串的片数，一般按设计规程要求的最少片数选择，但应根据线路实际情况修正。 对全髙超过40m有地线的杆塔，其绝缘子串的片数应（）。A.不变； B.増加一片；C.每増高1Om加1片； D.每増高20m加一片。
按绝缘水平选择绝缘子应符合（ ）要求。A. 一般地区架空线路其绝缘子或绝缘子串的爬电比距（桉额定线电压计算值）不应小 于 1.6cm/kV;B.架设在污秽地区的线路应根据运行经验和可能污染的程度，增加爬电比距；C.污秽地区的线路宜采用防污型絶缘子或采取其他有效措施；D. 3~10kV钢筋混凝土电杆铁横担、对供电可靠性要求高的线路，宜采用高一级电压 等级的绝缘子。
某220kV架空线路，海拔1000m以下，根据审定的污区分布图，线路所经地区为Ⅲ级污区，拟采用双伞型XWP2-100绝缘子，该绝缘子爬电距离450mm，请选择悬垂绝缘子片数（）。A、15片B、16片C、17片D、18片
为保证线路的安全运行，防污闪的措施有（）。A、确定线路污秽区的污秽等级定期淸扫绝缘子B、更换不良和零值绝缘子C、增加绝缘予串的单位爬电比距D、采用憎水性涂料，采用合成绝缘子E、采用新技术和新工艺
线路绝缘子串中出现低值或零值绝缘子时及易诱发污闪，其原因是（）。A、该绝缘子串的爬电比距先下降后增大B、该绝缘子串的爬电比距先增大后下降C、该绝缘子串的爬电比距下降D、该绝缘子串的爬电比距增大
绝缘配合设计可采用（）选择合适的绝缘子型式和片数。 A、爬电比距法B、转轮法C、污耐压法D、盐雾法E、泄漏电流法