下述关于PROM的描述中正确的是（）。A、PROM是只读取存储器，不可编程B、PROM是只读存储器，可通过PROM编程器进行编程C、PROM中的内容在主机关机后消失D、PROM中的数据可通过紫外线擦出

下述关于PROM的描述中正确的是（）。

  • A、PROM是只读取存储器，不可编程
  • B、PROM是只读存储器，可通过PROM编程器进行编程
  • C、PROM中的内容在主机关机后消失
  • D、PROM中的数据可通过紫外线擦出

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PROM是指() A、掩膜只读存储器B、可编程只读存储器C、可擦除可编程只读存储器D、电可擦除只读存储器
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在存储系统中，PROM是指( )A．固定只读存储器B．可编程只读存储器C．可读写存储器D．可再编程只读存储器
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PROM、PLA、和PAL三种可编程器件中,()是能编程的 A.PROM的或门阵列B.PAL的与门阵列C.PLA的与门阵列和或门阵列D.PROM的与门阵列
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图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、FlashROMB．EPROM、EEPROM、PROM、FlashROMC．EEPROM、FlashROM、PROM、EPROMD．FlashROM、PROM、EPROM、EEPROM
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在存储系统中，PROM是指( )A．可读写存储器B．可擦除可编程只读存储器C．电可擦除只读存储器D．可编只读存储器
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可编程只读存储器(PROM)允许用的编程次数是( )。A．1次B．2次C．10次D．多次反复
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存储系统中的PROM是指（）。A、可编程读写存储器B、可编程只读存储器C、只读存储器D、动态随机存储器
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只读存储器的英文缩写是（）.A、RAMB、ROMC、PROM
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在电压合成式遥控电路中，存储器一般采用（）。A、E2PROM或EAROMB、ROMC、RAMD、PROM
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内部使用可编程序只读存储器（PROM）的标签是一次性编程只读标签。
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MROM指（）只读存储器，PROM指（）只读存储器，EPROM指（）擦除PROM，EEPROM指（）擦除PROM。
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可编程只读存储器PROM包含（）。A、EPROMB、EEPROMC、PLAD、PAL
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存储系统中的PROM是指（）。A、可编程只存储器B、可编程读写存储器C、静态只读存储器D、动态随机存储器
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下列说法描述错误的是（）A、随机存储可随时存取信息，断电后信息丢失B、主存储器的信息是不可改变的C、E2PROM是可电改写的只读存储器D、PROM制成后只可写入一次
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可编程只读存储器，用户写入后，不能再擦除或更改的是（）。A、EEPROMB、MASK ROMC、EPROMD、PROM
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PROM是可编程只读存储器。
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PROM、PLA、和PAL三种可编程器件中，（）是不能编程的。A、PROM的或门阵列B、PAL的与门阵列C、PLA的与门阵列和或门阵列D、PROM的与门阵列
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PROM的或阵列（存储矩阵）是可编程阵列。
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PROM、PLA、PAL三种可编程器件中，（）是可编程的。A、PROM的或门阵列B、PAL的与门阵列C、PAL的与门阵列或门阵列D、PROM的与门阵列
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PROM和PAL的结构是（）A、PROM的与阵列固定，不可编程B、PROM与阵列、或阵列均不可编程C、PAL与阵列、或阵列均可编程D、PAL的与阵列可编程
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下列只读存储器中，仅能一次写入数据的是（）A、PROMB、EPROMC、Flash MemoryD、E2PROM
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PROM中内容是可以电擦除的。
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元件PROM表示（）。A、只读存储器B、可编程只读存储器C、随机存储器D、微处理器
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以下（）等是ROM类型存储器。A、PROM，EPROM，SRAM和CCDB、PROM，EPROM，PLA和DRAMC、PROM，EPROM，PLA和DROMD、PROM，EPROM，SROM和DROM
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单选题微型计算机存储系统中，PROM是（　　）。A可读/写存储器B动态随机存储器C只读存储器D可编程只读存储器
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填空题MROM指（）只读存储器，PROM指（）只读存储器，EPROM指（）擦除PROM，EEPROM指（）擦除PROM。
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单选题低密度可编程器件的代表是（）。APLABPALCGALDE2PROM
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