避雷器出厂试验验收,本体绝缘电阻35kV以上:不小于2500MΩ。

避雷器出厂试验验收,本体绝缘电阻35kV以上:不小于2500MΩ。


相关考题:

避雷器交接试验验收中规定,35kV以上避雷器绝缘电阻,采用()V兆欧表,不小于2500MΩ。A、3000B、4000C、5000D、2500

35kV以上避雷器交接试验,本体绝缘电阻采用5000V兆欧表,不小于()MΩ。A、1000B、2500C、3000D、5000

35kV以上电压的金属氧化物避雷器绝缘电阻值,用5000V摇表,绝缘电阻不小于2500MΩ。

FS型避雷器在运行中的绝缘电阻不应小于2500MΩ

35kV以下金属氧化物避雷器采用2500V及以上兆欧表测量绝缘电阻应不低于()。A、500MΩB、1000MΩC、2500MΩD、5000MΩ

金属氧化物避雷器绝缘电阻测量,35kV及以下电压用2500V兆欧表,绝缘电阻不小于()MΩ。A、1000MΩB、2500MΩC、5000MΩD、500MΩ

当FS避雷器的绝缘电阻值不小于()时可不进行电压电流测量。A、1000MΩB、1500MΩC、2000MΩD、2500MΩ

当FS避雷器的绝缘电阻值不小于()可不进行电压电流测量。A、1000MΩB、1500MΩC、2000MΩD、2500MΩ

35kV以上金属氧化物避雷器采用2500V及以上兆欧表测量绝缘电阻应不低于()。A、500MΩB、1000MΩC、2500MΩD、5000MΩ

避雷器出厂试验,110kV电压等级避雷器本体绝缘电阻不低于()MΩ。A、1000B、2000C、2500D、3000

金属氧化物避雷器的绝缘电阻测量,应符合下列规定:()。A、35kV及以下电压:用2500V兆欧表,绝缘电阻不小于1000MΩB、35kV以上电压:用5000V兆欧表,绝缘电阻不小于2500MΩC、低压(1kV以下):用500V兆欧表,绝缘电阻不小于2MΩD、基座绝缘电阻不低于5MΩ

避雷器启动验收内容包括()。A、本体外观B、出厂试验C、红外测温D、监测装置检查

金属氧化物避雷器绝缘电阻测量,应符合下列要求()A、35kV以上电压:用5000V兆欧表,绝缘电阻不小于2500MΩ;B、35kV及以下电压:用2500V兆欧表,绝缘电阻不小于1000MΩ;C、低压(1kV以下):用500V兆欧表,绝缘电阻不小于10MΩ。D、35kV及以下电压:用2500V兆欧表,绝缘电阻不小于500MΩ;E、基座绝缘电阻不低于200MΩ。

电容器检修:电容器本体绝缘不小于2500MΩ。

避雷器的预防性试验,FS型避雷器的绝缘电阻值不小于2500MΩ时,可不进行电导电流测量。

避雷器底座绝缘电阻出厂验收标准:不低于()kV。A、1000B、1500C、2000D、2500

避雷器出厂试验验收中规定,750kV及以下系统避雷器底座绝缘电阻不低于()MΩ。A、50B、100C、150D、200

避雷器出厂试验验收中规定,()kV系统避雷器底座绝缘电阻不低于2000MΩ。A、220B、500C、750D、1000

避雷器出厂试验验收规定,35kV及以下避雷器本体绝缘电阻不小于()MΩ。A、500B、1000C、1500D、2000

站用变本体试验评价项目()。A、35kV站用变油中溶解气体组分试验B、铁心及夹件绝缘电阻C、绕组绝缘电阻D、绕组连同套管的介损

电阻器本体绝缘不小于()。A、500MΩB、1000MΩC、2000MΩD、2500MΩ

避雷器出厂试验验收规定,35kV以上避雷器本体绝缘电阻不小于()MΩ。A、1500B、2000C、2500D、3500

避雷器出厂试验,35kV电压等级避雷器本体绝缘电阻不低于()MΩ。A、1000B、2000C、2500D、3000

避雷器交接试验本体绝缘电阻应使用()兆欧表。A、35kV以上:采用2500V兆欧表,不小于1000MΩB、35kV及以下:采用2000V兆欧表,不小于500MΩC、35kV以上:采用5000V兆欧表,不小于2500MΩD、35kV及以下:采用2500V兆欧表,不小于1000MΩ

35kV及以下避雷器交接试验本体绝缘电阻采用()V兆欧表,不小于1000MΩ。A、500B、1000C、2500D、5000

避雷器的预防性试验,测量绝缘电阻,对于FS型避雷器的绝缘电阻值应不小于()A、500MΩB、1000MΩC、2000MΩD、2500MΩ

多选题金属氧化物避雷器绝缘电阻测量,应符合下列要求()A35kV以上电压:用5000V兆欧表,绝缘电阻不小于2500MΩ;B35kV及以下电压:用2500V兆欧表,绝缘电阻不小于1000MΩ;C低压(1kV以下):用500V兆欧表,绝缘电阻不小于10MΩ。D35kV及以下电压:用2500V兆欧表,绝缘电阻不小于500MΩ;E基座绝缘电阻不低于200MΩ。