二元合金处于低共熔温度时物系的自由度 f 为：（）A、0B、1C、2D、3

二元合金处于低共熔温度时物系的自由度 f 为：（）

  • A、0
  • B、1
  • C、2
  • D、3

相关考题：

在真空炉内烧结而成PFM修复体的是A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷金合金E、低熔瓷粉与金合金
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在真空炉内烧结而成的PFM修复体的原材料是A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷合金E、低熔瓷粉与金合金
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简单低共熔双组分系统T-x相图如图所示。当物系点M随温度下降时，固相物质与液相物质重量的比值 ()A增大B减小C不变D先增大，后减小
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NH3£­CO2二元物系随着压力的升高,其最高共沸点的温度降低。() 此题为判断题(对，错)。
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简单低共熔混合物二组分系统液-固平衡中，低共熔点的自由度 f=?A.1B.2C.3D.0
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当混合物的熔融温度和组成都不随时间而改变时得到的混晶为简单低共熔混合物。() 此题为判断题(对，错)。
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关于含低共熔混合物散剂的陈述，错误的是A.低共熔现象是药物混合后出现润湿或液化的现象B.低共熔现象的发生与药物的品种及比例量有关C.低共熔药物混合时全都迅速产生低共熔现象D.薄荷脑与樟脑混合时都能产生低共熔现象E.若低共熔物药效增强则可直接用共熔法混合
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二元合金处于单相平衡时，自由度为2，这就是说温度变化时，成份随之变化（）
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近共晶的A.l-Si二元合金的结晶温度区间小，硅的结晶潜热大，故流动性能为铸铝合金中的冠军。
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下列对熔断器熔体描述正确的是（）。A、熔断器熔体常用低熔点的合金制成B、熔体必须串联在被保护的电气设备电路中C、当设备发生短路时，熔体温度急剧升高并熔断D、当设备发生过流时，熔体温度急剧升高并熔断
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能与镍形成低熔共晶物的元素是（）。
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三院系中的界线有低共熔线和转熔线两种。为了区分这两种性质的界线，在三元系相图中规定了用（）箭头表示低共熔线下降的方向，用（）箭头表示转熔线的温度下降方向。
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三元系中有低共熔和（）两种不同性质的界线。
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用（）表示低共熔线上温度降低的方向，用（）表示转熔线上温度降低的方向
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处方中含有能溶解低共熔混合物的液体时，应先将液体组分喷雾于其他固体组分中，混匀后，加入低共熔混合物。
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在二元合金中，综合力学性能较好的合金是（）A、共晶合金B、共析合金C、固溶体合金D、化合物合金
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二元合金处于低共熔温度时，物系的自由度为：（）A、f=0B、f=1C、f=3D、f=2
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PRW10-12F型熔断器的熔丝（熔体）材料采用了（）。A、纯铜材料B、高熔点合金材料C、低熔点合金材料D、铜钨合金材料
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单选题在温度高时，熔体主要以（）为主。A高聚物B低聚物C高聚物与低聚物的混合物
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填空题三院系中的界线有低共熔线和转熔线两种。为了区分这两种性质的界线，在三元系相图中规定了用（）箭头表示低共熔线下降的方向，用（）箭头表示转熔线的温度下降方向。
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单选题最有可能形成三元最低共沸物的三元物系是（）。A物系中三个组分可两两形成三个二元最低共沸物B物系中三个组分可两两形成三个二元最高共沸物C物系中三个组分可两两形成两个二元最低共沸物，一个最高共沸物D物系中三个组分可两两形成一个二元最低共沸物，两个最高共沸物
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单选题在二元合金中，综合力学性能较好的合金是（）A共晶合金B共析合金C固溶体合金D化合物合金
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单选题关于含低共熔混合物散剂的陈述，错误的是（）A低共熔现象是药物混合后出现润湿或液化的现象B低共熔现象的发生与药物的品种及比例量有关C低共熔药物混合时全都迅速产生低共熔现象D薄荷脑与樟脑混合时都能产生低共熔现象E若低共熔物药效增强则可直接用共熔法混合
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问答题二元合金中的包晶转变与三元合金中的共晶转变能否发生在一个温度区间内，为什么？
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填空题用（）表示低共熔线上温度降低的方向，用（）表示转熔线上温度降低的方向
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判断题二元合金处于单相平衡时，自由度为2，这就是说温度变化时，成份随之变化。A对B错
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判断题处方中含有能溶解低共熔混合物的液体时，应先将液体组分喷雾于其他固体组分中，混匀后，加入低共熔混合物。A对B错
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