一载有电流I的细导线分别均匀密绕在半径为R和r的长直圆筒上形成两个螺线管（R=2r），两螺线管单位长度上的匝数相等。两螺线管中的磁感应强度大小BR和Br应满足（）A、BR=2BrB、BR=BrC、2BR=BrD、BR=4Br
一载有电流I的细导线分别均匀密绕在半径为R和r的长直圆筒上形成两个螺线管（R=2r），两螺线管单位长度上的匝数相等。两螺线管中的磁感应强度大小BR和Br应满足（）
- A、BR=2Br
- B、BR=Br
- C、2BR=Br
- D、BR=4Br
相关考题：
应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场计算,计算结果应为：A.在其外部，即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B. r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C. r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部，即r
P点位于两根互相平行相距为r的长导线的中间，即r/2处。当一根导线中的电流为I，而另一根导线中的电流为0时，P点的磁感应强度为B；若两根导线中均有电流I，大小相等但方向相反，则P点的磁感应强度为（ ）B。A．0B．1C．2D．4
应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知（ ）。A．在其外部，即r＞R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B．r＞R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C．r＞R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D．在其内部，即r＜R处的磁场强度与r成反比
材料相同、粗细也相同的两个半径不等的导线圆环，小环的半径为r，大环的半径为R，且R＝2r．二者置于同一匀强磁场中，且两圆环的平面都与磁场垂直．当磁感应强度随时间做线性增加时，小环中的感应电流为I，则大环中的感应电流为（ ）
A.在其外部，即r＞R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r＞R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r＞R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部，即r＜R处的磁场强度与r成反比
半径分别为R和r的两个金属球，相距很远，用一根细长导线将两球连接在一起并使它们带电，在忽略导线的影响下，两球表面的电荷面密度之比σR／σr为( )。A．R／rB．R2／r2C．r2／R2D．r/R
一无限长直圆筒，半径为R，表面带有一层均匀电荷，面密度为σ，在外力矩的作用下，这圆筒从t=0时刻开始以匀角加速度α绕轴转动.在t时刻圆筒内离轴为r处的磁感应强度B为( )。A.0B.μ0σRαtC.μ0σ×(R/r)αtD.μ0σ×(r/R)αt
一个电阻为R的负载中流过的电流为Ｉ。其两端的电压U所消耗的功率Ｐ分别为：（U、I、R、P的单位分别为伏特、安培、欧姆、瓦特，”x＾m”表示“x的m次方”）（）A、U=I×R，P=I＾2×RB、U=I/R，P=I＾2/RC、U=R/I，P=R/I＾2D、U=I+R，P=I×R
一个电阻负载两端电压为U，流过的电流为I。它的电阻R和所消耗的功率P分别为：（U、I、R、P的单位分别为伏特、安培、欧姆、瓦特，”x＾m”表示“x的m次方”）（）A、R=U/I，P=U×IB、R=I/U，P=U＾2/IC、R=U×I，P=U/I＾2D、R=U＾2/I，P=U＾2×I
两根长度相同的细导线分别多层密绕在半径为R和r的两个长直圆筒上形成两个螺线管，两个螺线管的长度相同，R＝2r，螺线管通过的电流相同为I，螺线管中的磁感强度大小BR、Br满足（）A、BR=2BrB、BR=BrC、2BR=BrD、BR=4Br
半径为R1和R2的两个同轴金属圆筒，其间充满着相对介电常量为εr的均匀介质。设两筒上单位长度带有的电荷分别为+λ脚-λ，则介质中离轴线的距离为r处的电位移矢量的大小D=（），电场强度的大小E=（）。
一载有电流I的导线分别均匀密绕在半径为R和r的长直圆筒上形成两个螺线管（R=2r），两螺线管单位长度上的匝数相等，两螺线管中的磁感应强度大小BR和Br应满足（）。A、BR=2BrB、BR=BrC、2BR=BrD、BR=4Br
单选题应用安培环路定律φHdl=∑I，对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知（）A在其外部，即rR处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同BrR处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度CrR处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D在其内部，即r
单选题应用安培环路定律∮LHdL=∑I，半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出（）。A在其外部，即r＞R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同Br＞R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度Cr＞R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D在其内部，即r＜R处的磁场强度与r成反比