在TN—S系统中，电涌保护器的接线方式可以是：接在（）与总接地端子或总保护线之间，和接在（）与总接地端子或保护线之间：取其路径（）。
在TN—S系统中，电涌保护器的接线方式可以是：接在（）与总接地端子或总保护线之间，和接在（）与总接地端子或保护线之间：取其路径（）。
相关考题：
在TN-C系统中，当部分回路必须装设漏电保护器(RCD)保护时,应将被保护部分的系统接地形式改成下列哪几种形式？( )(A)TN-S 系统 (B)TN-C-S 系统(C)局部TT系统 (D)IT系统
安全防范系统的电源线、信号线经过不同防雷区的界面处，宜安装电涌保护器，系统的重要设备应安装电涌保护器，电涌保护器接地端和防雷接地装置应做等电位联结，等电位联结带应采用铜质线，按现行国家标准其截面积不应小于下列哪个数值？（）（A）6mm2 （B）10mm2（C）16mm2 （D）25mm2
电源电涌保护器的保护模式应符合（）规定A、TN接地方式下，电涌保护器宜采用相线/中线对地保护模式。在甲级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法B、TN接地方式下，电涌保护器宜采用相线/中线对设备保护模式。在乙级电涌保护系统中C、在TT接地方式下的电涌保护器，当变压器外壳与低压侧中性点不共地或变压器高压侧中性点不接地时，金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器（RCD.之负载侧，采取对地保护模式，接于各相线和中线与地之间，也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性D、在TT接地方式下的电涌保护器，当变压器外壳与低压侧中性点共地或变压器高压侧中性点接地时，金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器（RCD.之负载侧，采取对地保护模式，接于各相线和中线与地之间，也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有E、在IT接地方式下当中性线N未配出时，SPD仅在各相与地之间接入；当中性线N配出时，在中性线与地之间也应接入SPDF、在IT接地方式下当保护中性线PEN未配出时，SPD仅在各相与地之间接入；当中性线N配出时，在中性线与地之间也应接入SPD
电源电涌保护器的保护模式应符合（）规定：A、TN接地方式下，电涌保护器宜采用相线/中线对地保护模式。在甲级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法。B、TN接地方式下，电涌保护器宜采用相线/中线对设备保护模式。在乙级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法。C、在TT接地方式下的电涌保护器，当变压器外壳与低压侧中性点不共地或变压器高压侧中性点不接地时，金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器（RCD.之负载侧，采取对地保护模式，接于各相线和中线与地之间，也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有效接地时，入口级SPD接线形式接于RCD之电源侧。D、在TT接地方式下的电涌保护器，当变压器外壳与低压侧中性点共地或变压器高压侧中性点接地时，金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器（RCD.之负载侧，采取对地保护模式，接于各相线和中线与地之间，也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有效接地时，入口级SPD接线形式接于RCD之电源侧。E、在IT接地方式下当中性线N未配出时，SPD仅在各相与地之间接入；当中性线N配出时，在中性线与地之间也应接入SPD。F、在IT接地方式下当保护中性线PEN未配出时，SPD仅在各相与地之间接入；当中性线N配出时，在中性线与地之间也应接入SPD。
对限压型电涌保护器，其有效电压保护水平值为（）。A、电涌保护器的电压保护水平B、电涌保护器两端引线的感应电压降C、电涌保护器的电压保护水平与电涌保护器两端引线的感应电压降之和D、电涌保护器的电压保护水平与电涌保护器两端引线的感应电压降之间的较大者
安全防范系统的电源线.信号线经过不同防雷区的界面处，宜安装电涌保护器；系统的重要设备尖安装电涌保护器。电涌保护器接地端和防雷接地装置应作等电位连接。等电位连接带应采用铜质线，其截面积应不少于（）mm2。A、2.5B、10C、16D、25
单选题对电压开关型电涌保护器，其有效电压保护水平值为（）。A电涌保护器的电压保护水平B电涌保护器两端引线的感应电压降C电涌保护器的电压保护水平与电涌保护器两端引线的感应电压降之和D电涌保护器的电压保护水平与电涌保护器两端引线的感应电压降之间的较大者
多选题为取得较小的电涌保护器有效电压保护水平，应（）。A选用有较小电压保护水平值的电涌保护器B采用合理的接线C缩短连接电涌保护器的导体长度D改善接地网，以取得较小的接地电阻值