圆片型超声发生器产生的超声场在近场及远场声压分布各有何特点？

圆片型超声发生器产生的超声场在近场及远场声压分布各有何特点？

相关考题：

紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。（）此题为判断题(对，错)。
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关于声场的描述正确的是A．声场分为近、中、远场B．声场分为近、远场C．中场声束形态和声能分布界于近场和远场之间D．远场声束扩散，呈喇叭形，但临床上声能分布不均匀E．近场声束集中，呈规则的圆柱形，但声能分布极不均匀
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下列关于声场的特性描述，不正确的是A、声束由大的主瓣和许多小的旁瓣组成B、超声波频率越高，近场区越长C、主要依靠探头发射的声束主瓣成像D、声场可分近场、中场和远场E、声束的近场集中，远场分散
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超声场近场区和远场区各横截面上的声压分布是相同的。() 此题为判断题(对，错)。
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关于声场的特性，不正确的是A．声束有一个大的主瓣和一些小的旁瓣组成B．超声频率越高，近场越长C．超声成像主要依靠探头发射的主瓣D．声场可分近场、中场和远场E．声束的近场集中，远场分散
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关于声场的特性，正确的是A．近场长度与探头半径和频率成正比B．近场横向分辨率高于远场C．近场声束呈喇叭形D．近场横断面上能量分布基本均匀E．远场声束直径小于近场
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关于声场的描述，错误的是A、近场声束集中，呈圆柱形B、近场横断面上的声能分布均匀C、远场声束扩散，呈喇叭形D、场横断面上的声能分布比较均匀E、探头形状不同，声场范围有很大不同
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下列关于声场的特性描述，不正确的是A.声束由大的主瓣和许多小的旁瓣组成B.超声波频率越高，近场区越长C.主要依靠探头发射的声束主瓣成像D.声场可分近场、中场和远场E.声束的近场集中，远场分散
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关于声场的描述，错误的是A.近场声束集中，呈圆柱形B.近场横断面上的声能分布均匀C.远场声束扩散，呈喇叭形D.远场横断面上的声能分布比较均匀E.探头形状不同，声场范围有很大的不同
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在超声场中，缺陷回波声压与声源距离之间不存在有规律关系的范围称为（）A、近场区B、远场区C、超声场
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关于声场的描述，错误的是（）。A、近场声束集中，呈圆柱形B、近场横断面上的声能分布均匀C、远场声束扩散，呈喇叭形D、远场横断面上的声能分布比较均匀E、探头形状不同，声场范围有很大的不同
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超声场近场区内声压分布不均匀、起伏变化是由于波的干涉造成的。
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超声场可分为近场区和远场区，波源轴线上最后一个声压极大值的位置至波源的距离称为超声场的近场区长度。
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关于声场的描述正确的是（）。A、声场分为近、中、远场B、声场分为近、远场C、中场声束形态和声能分布界于近场和远场之间D、远场声束扩散，呈喇叭形，但临床上声能分布不均匀E、近场声束集中，呈规则的圆柱形，但声能分布极不均匀
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面积相同，频率相同的圆品片和方晶片，超声场的近场长度一样长。
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超声场分为以下四个区域：主声束和付瓣声源；近场；远场；未扩散区。
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近场区以远的区域称为（）A、超声场B、绕射区C、无声区D、远场
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紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。
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关于声场的特性，正确的是（　）A、近场长度与探头半径和频率成正比B、近场横向分辨率高于远场C、近场声束呈喇叭形D、近场横断面上能量分布基本均匀E、远场声束直径小于近场
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圆片型（活塞式）超声发生器产生的超声场在近场及远场声压分布各有何特点？
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关于声场的特性，不正确的是（　）A、声束有一个大的主瓣和一些小的旁瓣组成B、超声频率越高，近场越长C、超声成像主要依靠探头发射的主瓣D、声场可分近场、中场和远场E、声束的近场集中，远场分散
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判断题紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。A对B错
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问答题圆片型（活塞式）超声发生器产生的超声场在近场及远场声压分布各有何特点？
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单选题近场区以远的区域称为（）A超声场B绕射区C无声区D远场
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单选题关于声场的特性，正确的是（　　）。A近场长度与探头半径和频率成正比B近场横向分辨率高于远场C近场声束呈喇叭形D近场横断面上能量分布基本均匀E远场声束直径小于近场
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判断题超声场近场区内声压分布不均匀、起伏变化是由于波的干涉造成的。A对B错
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单选题关于声场的特性，不正确的是（　　）。A声束有一个大的主瓣和一些小的旁瓣组成B超声频率越高，近场越长C超声成像主要依靠探头发射的主瓣D超声场可分近场、中场和远场E声束的近场集中，远场分散
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