共模抑制比
共模抑制比
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同相并联结构的两级差动放大电路(A1.A2是组成第一级的运算放大器),第一级放大电路的共模抑制能力取决于()A、第一级的差动增益;B、A1器件本身的共模抑制比;C、A2器件本身的共模抑制比;D、A1和A2器件本身的共模抑制比的差异;E、第二级放大电路的共模抑制能力。
在差分放大电路中用共模抑制比来表示放大电路对零点漂移的抑制能力,且当共模抑制比()A、越小时,对零点漂移的抑制能力越强B、等于零时,对零点漂移的抑制能力最大C、越大时,对零点漂移的抑制能力越强
单选题脑电图机的许多重要参数是由前置放大器的性能决定的,一个优良的前置放大器的应能提供( )。A高的共模抑制比,高的噪音电平和高的输入阻抗B低的共模抑制比,低的噪音电平和低的输入阻抗C高的共模抑制比,低的噪音电平和低的输入阻抗D高的共模抑制比,低的噪音电平和高的输入阻抗E低的共模抑制比,高的噪音电平和高的输入阻抗
单选题理想运算放大器的共模抑制比为()。A零B约120dBC无穷大DAU