半导体二极管是温度的敏感器件，当温度升高时，参数IS和VVD（on）的变化是（）A、IS上升，VD（on）下降B、IS上升，VD（on）上升C、IS下降，VD（on）下降D、IS下降，VD（on）上升

半导体二极管是温度的敏感器件，当温度升高时，参数IS和VVD（on）的变化是（）

  • A、IS上升，VD（on）下降
  • B、IS上升，VD（on）上升
  • C、IS下降，VD（on）下降
  • D、IS下降，VD（on）上升

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当温度升高时,半导体的电阻率随温度升高而迅速减小,而金属的电阻率却会增大。() 此题为判断题(对，错)。
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当本征半导体温度升高时,电子和空穴的数目都()。
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当温度升高时，半导体的导电能力将减弱。此题为判断题(对，错)。
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当环境温度升高时,二极管的反向电流将() A、增大B、减小C、不变
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当环境温度升高时,半导体的电阻将()。 A、增大B、减小C、不变
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利用物体受红外辐射使温度升高，从而引起一些参数变化的器件是（）。
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当温度升高时，半导体的电阻将（）。
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整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
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当温度升高时，半导体的电阻将（）。A、增大B、减小C、不变
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当温度升高时，半导体的电阻将（）。A、增加B、减小C、不变D、不一定
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当温度升高时，半导体电阻将（）。A、不变B、增大C、减小D、迅速增大
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当温度升高时，半导体电阻将（）。A、先增后减B、增大C、不变D、减小
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当温度升高时，半导体的电阻率将（）。 A、缓慢上升B、很快上升C、很快下降
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当温度升高时，半导体的电阻率随温度升高而迅速减小，而金属的电阻率却会增大。
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当温度升高时，半导体电阻将（）。A、增大B、减小C、不变
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当温度升高时，半导体的导电率将（）。A、提高B、降低C、不变D、浮动不定
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二极管的基本特性是（）；当温度升高时，二极管的正向压降会减小。
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当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
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晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO（），VBE（），β（）。
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当温度升高后，二极管的正向电压（），反向电流（）。
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当温度升高时，晶体管的参数碑拓β（），ICBO（），导通电压（）。
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纯净半导体的温度升高时，半导体的导电性增强。
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当温度升高时，半导体的电阻将（）。A、增大B、减小C、不变D、为零
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判断题当温度升高时，半导体的电阻率随温度升高而迅速减小，而金属的电阻率却会增大。A对B错
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单选题当温度升高时，半导体电阻将（）。A不变B增大C减小D迅速增大
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单选题当温度升高时，半导体电阻将（）。A先增后减B增大C不变D减小
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填空题当温度升高时，半导体的电阻将（）。
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