在化合物的离子化过程中需要基质辅助的离子源是()。A、ESIB、APCIC、APPID、MALDI

在化合物的离子化过程中需要基质辅助的离子源是()。

  • A、ESI
  • B、APCI
  • C、APPI
  • D、MALDI

相关考题:

质谱仪常用离子源()A.电子轰击B.热导C.电子捕获D.场致离子化E.化学电离

关于离子键与共价键的各种叙述中,正确的是( )。A.在离子化合物里,只存在离子键,没有共价键B.熔融状态下,离子化合物可以导电C.在共价化合物分子内,可能存在离子键D.Na2O2分子中只存在极性键

下列关于化学键的叙述中,正确的是()。 A、离子化合物可能含有共价键B、共价化合物可能含有离子键C、离子化合物中只含离子键D、共价化合物中不含离子键

什么是离子化合物?

在水中可以离子化的化合物分离可用

含有共价键的离子化合物是

下列离子化合物中,阳离子和阴离子半径比值最大的是 (  )

许多纯的共价化合物和离子化合物,本质上是透明的,但往往在加工过程中留下孔洞而不透明。()

质谱分析中,采用场电离式离子源适用于()。A、极性化合物B、非极性化合物C、难挥发气样D、化合物结构鉴定

质谱仪常用离子源()A、电子轰击B、热导C、电子捕获D、场致离子化E、化学电离

NaCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为6,ZnS型离子化合物晶胞中正负离子配位数为(),CsCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为()

下列关于铝的卤化物的叙述,正确的是()A、铝离子半径很小,极化力强,铝的卤化物都是共价化合物B、除AlI3是共价化合物外,其余都是离子化合物C、卤化铝中,AlF3,AlCl3是离子化合物,AlBr3,AlI3是共价化合物D、卤化物中,仅AlF3是离子化合物

质谱分析中,EI离子源表示的电离方法是()。A、电子轰击离子化B、化学电离C、激光解析D、热喷雾离子化

离子源的结构、性能与有机质谱仪的灵敏度和分辨率有密切关系,根据有机化合物的热稳定性和电离的(),可以选择不同的离子源,以期得到该有机化合物的分子、离子。A、时间B、速度C、强度D、难易程度

在离子化合物里,元素化合价的数值等于这种元素得失电子的数目。

氯化镁(MgCl2)是()A、离子化合物B、共价化合物C、混合物D、单质

关于硼族元素所形成的化合物的类型,下列叙述错误的是()A、硼只能形成共价化合物B、除硼外,其它元素都可以形成纯离子化合物C、除硼外,其它元素都可以形成离子化合物,但M(Ⅲ)化合物有一定程度的共价性D、Tl+化合物是稳定的离子化合物

下列关于电喷雾离子化原理的叙述哪一个是不正确的?()A、形成带电液滴B、液滴蒸发,液滴里的场强增加C、离子从液滴中脱离,在接口处聚焦D、在基质的辅助下解析电离

在化合物的离子化过程中通过电晕放电过程的离子源是()A、ESIB、APCIC、APPID、MALDI

在化合物的离子化过程中发生库伦爆炸过程的离子源是()A、ESIB、APCIC、APPID、MALDI

质谱仪的离子源种类很多,挥发性样品主要采用()离子源。特别适合于分子量大、难挥发或热稳定性差的样品的分析的是()离子源。工作过程中要引进一种反应气体获得准分子离子的离子源是()电离源。在液相色谱-质谱联用仪中,既作为液相色谱和质谱仪之间的接口装置,同时又是电离装置的是()电离源。

下列离子源用于获取碎片离子峰()A、化学电离源B、场致电离源C、电子轰击离子源D、基质辅助激光解析电离

线粒体在合成ATP过程中需要下列哪些条件()。A、基质中含有0B、基质中含ADPC、基质中的H+浓度大于膜间隙D、基质中的H+浓度小于膜间隙

有机化合物在电子轰击离子源中有可能产生哪些类型的离子?从这些离子的质谱峰中可以得到一些什么信息?

多选题质谱仪常用离子源()A电子轰击B热导C电子捕获D场致离子化E化学电离

单选题下列离子源用于获取碎片离子峰()A化学电离源B场致电离源C电子轰击离子源D基质辅助激光解析电离

填空题质谱仪的离子源种类很多,挥发性样品主要采用()离子源。特别适合于分子量大、难挥发或热稳定性差的样品的分析的是()离子源。工作过程中要引进一种反应气体获得准分子离子的离子源是()电离源。在液相色谱-质谱联用仪中,既作为液相色谱和质谱仪之间的接口装置,同时又是电离装置的是()电离源。