非晶硒DR设备对环境温度要求最高不能超过()A、22℃B、27℃C、37℃D、40℃E、50℃

非晶硒DR设备对环境温度要求最高不能超过()

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相关考题:

直接转换技术的DR中应用的转换介质是A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒E、非晶硅

间接DR中,位于FPD顶层的是A、非晶硒B、碘化铯C、钨酸钙D、非晶硅E、CCD

直接转换技术的DR,应用的转换介质是()。A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶硒E.非晶硅

关于DR探测器的类型,错误的是A.非晶硒平板型探测器B.非晶硅平板型探测器C.碘化铯平板型探测器D.多丝正比室扫描DRE.CCD摄像机型DR

目前DR设备选用的探测器主要有 A、非晶硒B、非晶硅C、CCDD、CDE、TFT

直接转换技术的DR中应用的转换介质是A.影像板B.碘化铯C.非晶硅D.非晶硒E.增感屏

直接转换技术的DR,应用的转换介质是()A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒

属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

DR成像设备类型包括()。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR

单选题悬吊DR无线平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅DCCD

单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是(  )。A非晶硅-非晶硒-CCDBCCD-非晶硅-非晶硒C非晶硒-非晶硅-CCDD非晶硅-CCD-非晶硒ECCD-非晶硒-非晶硅

单选题直接转换技术的DR中应用的转换介质是().A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒E非晶硅

单选题非晶硒DR设备对环境温度要求最高不能超过()A22℃B27℃C37℃D40℃E50℃

单选题间接DR中,位于FPD顶层的是()A非晶硒B碘化铯C钨酸钙D非晶硅ECCD

多选题DR成像设备类型包括()。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR

单选题目前最常用的DR系统为(  )。ACsI+CCD阵列B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D多丝正比电离室E计算机X线摄影

单选题间接转换技术的DR,应用的转换介质是()A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒E非晶硅

单选题直接转换DR中应用的转换介质是(  )。A非晶硅B非晶硒C碘化铯D成像板E增感屏

单选题属于DR成像直接转换方式的是()A非晶硒平扳探测器B碘化铯+非晶硅平扳探测器C利用影像板进行X线摄影D闪烁体+CCD摄像机阵列E硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

单选题直接转换技术的DR,应用的转换介质是()A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒

多选题目前DR设备选用的探测器主要有()。A非晶硒B非晶硅CCCDDCDETFT